[发明专利]电极、钙钛矿发光二极管及其制造方法

说明书

本申请提供一种电极、钙钛矿发光二极管及其制造方法，采用特定聚合物基表面改性剂PEIE和/或PEI改性碳材料，制得具有低功函数的电极，该电极作为钙钛矿发光二极管的阴极更有利于电子注入至钙钛矿发光层中。

技术领域

本申请涉及电致发光器件技术领域，尤其涉及一种电极、钙钛矿发光二极管及其制造方法。

背景技术

目前，有机-无机杂化钙钛矿是一种分子式为ABX₃型化合物，A代表一价阳离子，如CH₃NH₃⁺、NH₂-CH＝NH₂⁺、Cs⁺等；B代表二价阳离子，如Pb²⁺、Sn²⁺等；X代表一价阴离子，如I-、Br-、Cl-等。ABX₃型化合物具有荧光量子效率高、半峰宽较窄、色纯度高、光学带隙可调等性质，因此在发光显示器件领域也非常具有吸引力。特别地，随着绿光和红光钙钛矿发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的外量子效率接连突破20％，使钙钛矿发光二极管得到了学术界和产业界的广泛关注。因此，研究钙钛矿LED对先进显示技术意义重大。

通常而言，较为成熟的钙钛矿LED器件结构为氧化铟锡层/空穴传输层/钙钛矿发光层/电子传输层/金属电极。其中，氧化铟锡层作为阳极，金属电极作为阴极。由于金属电极的价格昂贵且制造设备要求高，采用低成本高导电的碳材料作为阴极时，碳材料的功函数高于金属使得电子难以注入至钙钛矿发光层。

因此，有必要提出一种技术方案以解决碳材料制得的阴极功函数较高而导致电子难以注入至钙钛矿发光层的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种电极、钙钛矿发光二极管及其制造方法，以解决碳材料制得的阴极功函数较高而导致电子难以注入至钙钛矿发光层的问题。

为实现上述目的，技术方案如下：

一种电极，所述电极的制备材料包括碳材料以及表面改性剂，所述表面改性剂包括具有如下结构式(1)和/或结构式(2)所示聚合物，

其中，所述x、所述y以及所述z均为大于或等于1的整数，所述a、所述b、所述c以及所述d均为大于或等于1的整数。

在上述电极中，所述表面改性剂与所述碳材料的质量之比的取值范围为(0.01-10)：100。

在上述电极中，所述表面改性剂与所述碳材料的质量之比的取值范围为(0.1-2):100。

在上述电极中，所述碳材料选自石墨烯、石墨、碳纳米管以及炭黑中的至少一种。

在上述电极中，所述碳材料选自石墨。

一种钙钛矿发光二极管，所述钙钛矿发光二极管包括阴极，所述阴极的制备材料包括碳材料以及表面改性剂，所述表面改性剂包括具有如下结构式(1)和/或结构式(2)所示聚合物，

其中，所述x、所述y以及所述z均为大于或等于1的整数，所述a、所述b、所述c以及所述d均为大于或等于1的整数。

在上述钙钛矿发光二极管中，所述表面改性剂与所述碳材料的质量之比的取值范围为(0.01-10)：100。

在上述钙钛矿发光二极管中，所述表面改性剂与所述碳材料的质量之比的取值范围为(0.1-2):100。

在上述钙钛矿发光二极管中，所述碳材料选自石墨烯、石墨、碳纳米管以及炭黑中的至少一种。

在上述钙钛矿发光二极管中，所述碳材料选自石墨。