[发明专利]一种小尺寸沟槽的制备方法

权利要求书

1.一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备芯片；

2)旋涂光刻胶；

3)光刻图形；

4)烘烤；

5)二次旋涂光刻胶；

6)干法刻蚀；

7)清洗，结束操作。

2.根据权利要求1所述的一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备芯片；

2)旋涂光刻胶：在步骤1)准备的芯片外延片表面旋涂一层正性光刻胶，形成光刻胶层；

3)烘烤：将步骤2)处理后的芯片对芯片进行烘烤，去除光刻胶中的溶剂；

4)光刻图形：取步骤3)烘烤后的芯片，利用光刻掩模版对光刻胶层进行曝光，然后通过显影移除曝光部分的光刻胶，在所述外延片上光刻出所需要的图形；

5)烘烤：将步骤4)处理后的芯片放在烘箱内烘烤，固化光刻胶；

6)二次旋涂光刻胶：取步骤5)烘烤后的芯片，在光刻胶层表面旋涂一层正性光刻胶，形成一个具有沟型弧度的光刻胶掩膜层；

7)将步骤6)处理后的芯片对芯片进行烘烤，去除光刻胶中的溶剂；

8)干法刻蚀：取步骤7)处理后的芯片，进行干法刻蚀，刻蚀所述光刻胶掩膜层的沟型弧度底部，并向下刻蚀至目标深度，形成沟槽；

9)清洗：清洗去除芯片表面的光刻胶层、光刻胶掩膜层，结束操作。

3.根据权利要求2所述的一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备芯片；

2)旋涂光刻胶：在步骤1)准备的芯片外延片表面旋涂一层正性光刻胶，形成光刻胶层；其中光刻胶层的厚度为

3)烘烤：将步骤2)处理后的芯片对芯片进行烘烤，去除光刻胶中的溶剂；

4)光刻图形：取步骤3)烘烤后的芯片，利用光刻掩模版对光刻胶层进行曝光，然后通过显影移除曝光部分的光刻胶，在所述外延片上光刻出所需要的图形；其中光刻掩膜版中的图形宽度为10-25μm；

5)烘烤：将步骤4)处理后的芯片放在烘箱内烘烤，固化光刻胶；其中烘烤温度为90℃-110℃，烘烤时间为5-15min；

6)二次旋涂光刻胶：取步骤5)烘烤后的芯片，在光刻胶层表面旋涂一层正性光刻胶，形成一个具有沟型弧度的光刻胶掩膜层；其中光刻胶掩膜层的厚度为

7)将步骤6)处理后的芯片对芯片进行烘烤，去除光刻胶中的溶剂；

8)干法刻蚀：取步骤7)处理后的芯片，进行干法刻蚀，刻蚀所述光刻胶掩膜层的沟型弧度底部，并向下刻蚀至目标深度，形成沟槽；其中沟槽宽度为2-6um；

9)清洗：取步骤8)处理的芯片，依次通过去胶液、丙酮、乙醇、纯水清洗，去除芯片表面的光刻胶层、光刻胶掩膜层，结束操作。

4.根据权利要求2所述的一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：所述步骤3)和步骤7)中，烘烤时将芯片放入烤箱中，烘烤温度为90-110℃，烘烤时间为15-30min。

5.根据权利要求2所述的一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：所述步骤3)和步骤7)中，烘烤时利用热板进行烘烤，烘烤温度为90-110℃，烘烤时间为1-4min。

6.根据权利要求2所述的一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：所述步骤4)光刻显影完成后到所述步骤6)第二次旋涂光刻胶的时间间隔为1-12h。

7.根据权利要求2所述的一种小尺寸沟槽的制备方法，其特征在于：所述步骤8)中，刻蚀方法为ICP干法刻蚀、RIE干法刻蚀中的一种。