[发明专利]低散斑激光阵列及包含低散斑激光阵列的影像显示器

权利要求书

1.一种垂直共振腔面射型激光装置，包含基板、设置在该基板上的第一掺杂型分布式布拉格反射件、连接该基板的第一电极、设置在第一掺杂型分布式布拉格反射件上的活化层、设置在该活化层上的第二掺杂型分布式布拉格反射件、形成在该第二掺杂型分布式布拉格反射件的顶面上且具有表面浮凸缺口的表面浮凸层、形成在该第二掺杂型分布式布拉格反射件内且位于该表面浮凸层及该活化层间的限制件，及设置在该表面浮凸层上的第二电极，其特征在于：

该表面浮凸层的表面浮凸缺口的直径范围为1.0-6.0μm；该限制件定义出一个开口，且该开口的开口直径范围为3.0-15μm，并用于供由该活化层所产生的激光束通过；该第二电极为具有内径范围为8-17μm的环形p-接触金属；该第一掺杂型分布式布拉格反射件的上部、该活化层及该第二掺杂型分布式布拉格反射件形成一个台面结构，且该台面结构是由该第一掺杂型分布式布拉格反射件的上部至该第二掺杂型分布式布拉格反射件逐渐变尖；该台面结构的底部台面直径范围为16-48μm；该台面结构的底部台面直径是大于该开口的开口直径，且该开口的开口直径是小于该第二电极的内径，而该第二电极的内径大于该表面浮凸层的表面浮凸缺口的直径；该表面浮凸层的厚度为该激光束的波长的n/4倍，且该n为正偶数。

2.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该限制件是由离子注入半导体材料所制成，且该离子注入半导体材料中的离子选自于氢离子、氦离子、氧离子，或上述任意的组合，而该离子注入半导体材料中的半导体材料为AlGaAs/GaAs多层堆叠。

3.根据权利要求2所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该半导体材料是由AlxGa1-xAs/GaAs多层堆叠经湿式氧化方式所制得，而x为0.98-1.0。

4.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该第二电极位于该基板的底部。

5.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该活化层包括量子阱层，且该量子阱层的厚度为2nm至12nm并包括GaAs量子阱及InxGaAs量子阱，而x为0.02至0.35。

6.根据权利要求5所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该活化层还包括分别连接该量子阱层的两相反侧的两层阻障层，每一层阻障层是由AlxGa1-xAs所制成，而x为0-1；每一层阻障层是由AlxGa1-xAs、GaAs1-yPy或GaAs所制成，而x为0.15-0.4，y为0.15-0.3。

7.根据权利要求6所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该活化层还包括两层分离限制异质结构层，所述分离限制异质结构层分别连接在该量子阱层的两相反侧上的所述阻障层，且每一分离限制异质结构层是由AlxGa1-xAs所制成，而x为0至1，每一阻障层是由AlxGa1-xAs、GaAs1-yPy或GaAs所制成，而x为0.15至0.4，y为0.15至0.3。

8.根据权利要求7所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：每一分离限制异质结构层的厚度范围为4nm至120nm，且每一分离限制异质结构层为梯度折射分离限制异质结构层，而该梯度折射分离限制异质结构层是由AlxGaAs所制成，而x为0.15至0.75。

9.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该表面浮凸层是一层掺杂层，且该掺杂层的掺杂浓度高于该第二掺杂型分布式布拉格反射件的掺杂浓度。

10.根据权利要求1所述的垂直共振腔面射型激光装置，其特征在于：该基板是n型GaAs基板或半绝缘GaAs基板。