[发明专利]三维存储器的形成方法

说明书

本发明实施例公开了一种三维存储器的形成方法，所述形成方法包括：沿遮罩层中的第一开口刻蚀堆叠结构，形成第一沟槽；在形成所述第一沟槽的同时，沿所述遮罩层中的第二开口刻蚀所述堆叠结构，形成第二沟槽；其中，所述第一沟槽的顶部开口宽度大于所述第二沟槽的顶部开口宽度，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种三维存储器的形成方法。

背景技术

通常在三维存储器的存储区设置有顶层选择栅切线(TSG CUT，top select gatecut)，用于将存储区的顶层选择栅(TSG，top select gate)分割为两部分。在顶层选择栅切线形成后，还具有阵列共源极的形成。在刻蚀用于形成阵列共源极的栅缝隙(GLS，gateline slit)的过程中，容易在顶层选择栅切线中造成凹陷等缺陷，影响三维存储器的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种三维存储器的形成方法，包括：

沿遮罩层中的第一开口刻蚀堆叠结构，形成第一沟槽；

在形成所述第一沟槽的同时，沿所述遮罩层中的第二开口刻蚀所述堆叠结构，形成第二沟槽；其中，所述第一沟槽的顶部开口宽度大于所述第二沟槽的顶部开口宽度，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

根据一种发明实施例，所述沿遮罩层中的第一开口刻蚀堆叠结构，包括：

沿所述遮罩层中的第一开口等离子体干法刻蚀所述堆叠结构；

所述沿所述遮罩层中的第二开口刻蚀所述堆叠结构，包括：

沿所述遮罩层中的第二开口等离子体干法刻蚀所述堆叠结构。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：

在利用等离子体轰击所述堆叠结构时，产生气态的第一产物和固态的第二产物；其中，所述第二产物，与所述等离子体之间没有化学反应。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：

将所述第一产物从所述第一沟槽和所述第二沟槽所在的区域抽离；其中，所述第二产物堆积在所述第二沟槽的侧壁和/或底部，以使所述第二沟槽的顶部开口宽度大于所述第二沟槽的底部宽度。

根据一种发明实施例，所述等离子体包括碳离子和卤素离子。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：

去除所述遮罩层；

在所述堆叠结构表面、所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积第一介质；

第一次平坦化处理；其中，在所述第一次平坦化处理后，所述第二沟槽中所述第一介质的顶部与所述堆叠结构的顶部平齐。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：

在衬底上形成所述堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括依次交替设置的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层为氧化物层，所述第二介质层为氮化物层。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：

去除所述第二介质层，以在相邻的所述第一介质层之间形成间隙；

通过所述第一沟槽，将导电材料填充到所述间隙中，形成栅极层。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：

在所述堆叠结构顶部形成所述遮罩层；

图像化处理所述遮罩层，在所述遮罩层中形成所述第一开口和所述第二开口的遮罩图案。

根据一种发明实施例，所述形成方法还包括：