[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底上沉积第一金属层和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上方沉积铟镓锌氧化物层；

在所述铟镓锌氧化物层上沉积复合钝化膜；以及

在所述复合钝化膜的上方依次沉积第二金属层、绝缘层和透明电极层，形成薄膜晶体管；

其中，所述在铟镓锌氧化物层上沉积复合钝化膜的步骤包括：

形成氧化硅层的步骤：在原子沉积装置中，持续通入预设时间的硅前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫；

形成氧化铝层的步骤：在原子沉积装置中，持续通入预设时间的铝前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫；以及

重复预设次数的形成氧化硅层和氧化铝层的步骤，得到氧化硅薄膜和氧化铝薄膜，形成复合钝化膜；

形成氧化硅层的步骤：正硅酸乙酯的持续通入预设时间设置为0.03s，停留预设时间设置为5s，水的通入预设时间设置为0.02s，停留预设时间设置为3s；

形成氧化铝层的步骤：三甲基铝的持续通入预设时间设置为0.03s，停留预设时间设置为5s，水的通入预设时间设置为0.02s，停留预设时间设置为3s。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述重复预设次数的形成氧化硅和氧化铝层的步骤，得到复合钝化膜的步骤包括：

重复预设次数的形成氧化硅层的步骤形成氧化硅薄膜；

在氧化硅薄膜上方重复预设次数的形成氧化铝层的步骤形成氧化铝薄膜，以得到复合钝化膜。

3.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述重复预设次数的形成氧化硅和氧化铝层的步骤，得到复合钝化膜的步骤包括：

重复预设次数的形成氧化铝层的步骤形成氧化铝薄膜；

在氧化铝薄膜上方重复预设次数的形成氧化硅层的步骤形成氧化硅薄膜，以得到复合钝化膜。

4.如权利要求2或3所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的厚度大于氧化铝薄膜的厚度。

5.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述重复预设次数的形成氧化硅和氧化铝层的步骤，得到复合钝化膜的步骤包括：

在铟镓锌氧化物层上方重复第一预设次数形成氧化硅层的步骤以形成氧化硅薄膜；

在氧化硅薄膜的上方重复第二预设次数形成氧化铝层的步骤以形成氧化铝薄膜；以及

重复多次形成氧化硅薄膜和成氧化铝薄膜的步骤，以得到复合钝化膜。

6.如权利要求5所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一预设次数与第二预设次数相同，且大于或者等于100次，小于或者等于1000次。

7.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述铝前驱体、硅前驱体和氧前驱体的流速均设置在5标准毫升/分钟至30标准毫升/分钟之间。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述一种薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管。