[发明专利]一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路在审
| 申请号： | 201910564675.1 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110113013A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 杨格亮;曲明;陈明辉;廖春连;王旭东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/193 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路5*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 频程 输入匹配电路 电流复用 放大单元 匹配电路 超宽带 低噪声放大器 输出端 晶体管 漏极 超宽带低噪声放大器 射频集成电路 反馈电阻 输入匹配 芯片设计 源极连接 输入端 电阻 跨接 源极 电源 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路，其特征在于，包括电流复用放大单元、第一电感器、第二电感器、电阻器、电源端、接地端、输入端和输出端；
所述电流复用放大单元包括一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管，其中，NMOS晶体管的栅极与PMOS晶体管的栅极相连，NMOS晶体管的漏极与PMOS晶体管的漏极相连并共同连接到所述输出端，PMOS晶体管的源极与所述电源端连接；
NMOS晶体管和/或PMOS晶体管的栅极连接到第一电感器的一端，第一电感器的另一端与所述输入端连接，NMOS晶体管的源极连接到第二电感器的一端，第二电感器的另一端与所述接地端连接，所述电阻器跨接在所述输入端和所述输出端之间。
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