[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 201910564788.1 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110660829A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 黄荣仁;金成虎;梁容豪;王盛民 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 杜正国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 栅电极 多晶半导体层 驱动晶体管 补偿晶体管 有机发光二极管显示器 第二电极 第一电极 沟道 衬底 | ||
1.有机发光二极管显示器,包括:
衬底;
像素,所述像素布置在所述衬底上;
扫描线;
数据线;
驱动电压线;以及
初始化电压线,
其中,所述扫描线、所述数据线、所述驱动电压线和所述初始化电压线连接到所述像素,
其中,所述像素包括:
有机发光元件;
第一开关晶体管,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线;
驱动晶体管,所述驱动晶体管将电流施加到所述有机发光元件;以及
补偿晶体管,所述补偿晶体管对所述驱动晶体管的操作进行补偿,
其中,所述驱动晶体管包括:
第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述衬底上;以及
多晶半导体层,所述多晶半导体层布置在所述第一栅电极上,并且包括第一电极、第二电极和沟道,
其中,所述补偿晶体管包括:
多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;以及
第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述补偿晶体管的所述多晶半导体层上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述驱动晶体管还包括:
第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述驱动晶体管的所述多晶半导体层上,
其中,所述驱动晶体管的所述第二栅电极接收流到所述驱动电压线的驱动电压。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述驱动晶体管还包括:
重叠层,所述重叠层布置在所述衬底与所述驱动晶体管的所述第一栅电极之间,
其中,流到所述驱动电压线的所述驱动电压施加到所述重叠层。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开关晶体管包括:
多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;
第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层上;以及
第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层下方,
其中,流到所述驱动电压线的驱动电压施加到所述第一开关晶体管的所述第二栅电极,以及
其中,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线和所述数据线。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开关晶体管包括:
栅电极,所述栅电极布置在所述衬底上;以及
多晶半导体层,所述多晶半导体层布置在所述第一开关晶体管的所述栅电极上,并且包括第一电极、第二电极和沟道,
其中,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线和所述数据线。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括:
第二开关晶体管,
其中,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线和所述数据线,
其中,所述第二开关晶体管连接到所述扫描线和所述驱动晶体管的所述第一栅电极,以及
其中,所述第二开关晶体管包括:
多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;
第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述第二开关晶体管的所述多晶半导体层上;以及
第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述第二开关晶体管的所述多晶半导体层下方,
其中,所述第二开关晶体管的所述第二栅电极接收流到所述驱动电压线的驱动电压。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开关晶体管包括:
多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;
第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层上;以及
第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层下方,
其中,所述第一开关晶体管的所述第二栅电极接收流到所述驱动电压线的所述驱动电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910564788.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的