[发明专利]有机发光二极管显示装置在审

专利信息
申请号: 201910564788.1 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110660829A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 黄荣仁;金成虎;梁容豪;王盛民 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 11641 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 杜正国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 栅电极 多晶半导体层 驱动晶体管 补偿晶体管 有机发光二极管显示器 第二电极 第一电极 沟道 衬底
【权利要求书】:

1.有机发光二极管显示器,包括:

衬底;

像素,所述像素布置在所述衬底上;

扫描线;

数据线;

驱动电压线;以及

初始化电压线,

其中,所述扫描线、所述数据线、所述驱动电压线和所述初始化电压线连接到所述像素,

其中,所述像素包括:

有机发光元件;

第一开关晶体管,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线;

驱动晶体管,所述驱动晶体管将电流施加到所述有机发光元件;以及

补偿晶体管,所述补偿晶体管对所述驱动晶体管的操作进行补偿,

其中,所述驱动晶体管包括:

第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述衬底上;以及

多晶半导体层,所述多晶半导体层布置在所述第一栅电极上,并且包括第一电极、第二电极和沟道,

其中,所述补偿晶体管包括:

多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;以及

第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述补偿晶体管的所述多晶半导体层上。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述驱动晶体管还包括:

第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述驱动晶体管的所述多晶半导体层上,

其中,所述驱动晶体管的所述第二栅电极接收流到所述驱动电压线的驱动电压。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述驱动晶体管还包括:

重叠层,所述重叠层布置在所述衬底与所述驱动晶体管的所述第一栅电极之间,

其中,流到所述驱动电压线的所述驱动电压施加到所述重叠层。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开关晶体管包括:

多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;

第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层上;以及

第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层下方,

其中,流到所述驱动电压线的驱动电压施加到所述第一开关晶体管的所述第二栅电极,以及

其中,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线和所述数据线。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开关晶体管包括:

栅电极,所述栅电极布置在所述衬底上;以及

多晶半导体层,所述多晶半导体层布置在所述第一开关晶体管的所述栅电极上,并且包括第一电极、第二电极和沟道,

其中,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线和所述数据线。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括:

第二开关晶体管,

其中,所述第一开关晶体管连接到所述扫描线和所述数据线,

其中,所述第二开关晶体管连接到所述扫描线和所述驱动晶体管的所述第一栅电极,以及

其中,所述第二开关晶体管包括:

多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;

第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述第二开关晶体管的所述多晶半导体层上;以及

第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述第二开关晶体管的所述多晶半导体层下方,

其中,所述第二开关晶体管的所述第二栅电极接收流到所述驱动电压线的驱动电压。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开关晶体管包括:

多晶半导体层,所述多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道;

第一栅电极,所述第一栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层上;以及

第二栅电极,所述第二栅电极布置在所述第一开关晶体管的所述多晶半导体层下方,

其中,所述第一开关晶体管的所述第二栅电极接收流到所述驱动电压线的所述驱动电压。

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