[发明专利]一种使用BCL3的硼扩工艺

权利要求书

1.一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将制绒清洗后的晶体硅放入扩散炉内，使炉内压力达到预定压力值后恒定不变；

S2、升温至第一温度，进行沉积，往所述扩散炉内通源，即通入氮气、干氧和BCL₃，BCL₃的体积流量为70sccm；

S3、升温至第二温度，停止所述扩散炉内干氧和BCL₃的通入，进行吹扫，吹扫过程中保持通入一定体积流量的氮气；第二温度高于所述第一温度；

S4、循环步骤S2、S3若干次后，再进行一次步骤S2；

S5、停止所述扩散炉内干氧和BCL₃的通入，将炉内温度升高，并保持恒温一段时间， 升温过程中保持通入一定体积流量的氮气；

S6、升高炉内压力，通入氮气和干氧，氧化一段时间；

S7、降温回压，并将所述晶体硅从所述扩散炉内取出。

2.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述第一温度为830℃~900℃；所述第二温度与所述第一温度的温度差为20℃。

3.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S2中，氮气的体积流量为1500~3000sccm，干氧的体积流量为200~500sccm。

4.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S2中，通源的时间为120~240s。

5.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S1中，预定压力值为50~200mbar。

6.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S3中，吹扫时间为180s~300s；氮气的体积流量为1000~2000sccm。

7.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S5中，炉内温度为995℃~1003℃；恒温时间为30~60s；氮气的体积流量为3000~5000sccm。

8.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S6中，炉内压力为200~400mbar；氮气的体积流量为0~2000sccm，干氧的体积流量为4000~8000sccm；氧化时间为1200s~1500s。

9.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述降温回压包括：降温时间为900s，炉内温度为780℃，炉内压力为400mbar，BCL3和干氧流量为0sccm，氮气流量为5000sccm；回压时间为470s，炉内温度为750～780℃，炉内压力为1010mbar，BCL₃和干氧的体积流量均为0sccm，氮气体积流量为8000sccm。

10.根据权利要求1所述的一种使用BCL₃的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S4中，循环次数为3~5次。