[发明专利]一种Class-F2压控振荡器

权利要求书

1.一种Class-F2压控振荡器，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容、第一电源开关、第二电源开关、变容管串联串、第一电感、第一电阻以及电源；所述变容管串联串包括两个变容管；

两个所述第一电容串联，形成第一电容串联串；所述第一电源开关设于两个所述第一电容之间；两个所述第二电容串联，形成第二电容串联串；所述第二电源开关设于两个所述第二电容之间；所述变容管串联串、所述第一电容串联串以及所述第二电容串联串并联；切换所述第一电源开关以及所述第二电源开关的通断改变谐振腔的谐振频点；所述变容管、所述第一电容以及所述第二电容接成浮地的结构，所述变容管、所述第一电容以及所述第二电容与所述第一电感形成并联谐振，达到选频的目的；通过切换所述第一电源开关以及所述第二电源开关的通断，实现所述第一电容以及所述第二电容是否接入到并联谐振腔当中，切换所述第一电源开关以及所述第二电源开关改变谐振腔的谐振频点，即拓宽了工作带宽；加入变容管使得压控振荡器连续调谐；

所述第一晶体管的栅极与第二电容串联串的一端、第一电容串联串的一端、所述变容管串联串的一端、所述第一电感的一端以及所述第一晶体管的漏极相连接；所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极相连接，且所述第一晶体管的源极以及所述第二晶体管的源极接地；所述第一晶体管的漏极分别与第二电容串联串的另一端、第一电容串联串的另一端、所述变容管串联串的另一端、所述第一电感的另一端以及所述第二晶体管的栅极相连接；

所述第一电感的中心抽头与所述第一电阻的一端相连接；所述第一电阻的另一端与所述电源相连接；共模阻抗由第一电感以及第一电阻串联决定；主要由所述第一电阻决定所述共模阻抗。

2.根据权利要求1所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，所述第一电源开关具体包括：控制电平、第三晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及反相器；

所述第三晶体管的栅极与所述第四电阻的一端相连接；所述第四电阻的另一端分别与所述控制电平以及所述反相器的输入端相连接；所述第三晶体管的源极与所述第三电阻的一端相连接；所述第三电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端以及所述反相器的输出端相连接；所述第三晶体管的漏极与所述第二电阻的另一端相连接。

3.根据权利要求2所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻以及所述第四电阻为千欧级电阻。

4.根据权利要求2所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。

5.根据权利要求1所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，所述第一电容串联串、所述第二电容串联串以及所述变容管串联串采用浮地接法相连接。

6.根据权利要求1所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管为交叉耦合对，形成负阻。

7.根据权利要求1所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，所述第一电容以及所述第二电容为工艺库提供的高于品质因数阈值的金属-氧化物-金属电容。

8.根据权利要求1所述的Class-F2压控振荡器，其特征在于，两个所述变容管为工艺库提供的变容管。