[发明专利]一种单刀单掷开关及单刀双掷开关在审
| 申请号： | 201910565541.1 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110350900A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 伍晶;张天;罗文玲;裘华英 | 申请（专利权）人： | 伍晶 |
| 主分类号： | H03K17/60 | 分类号： | H03K17/60;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘凤玲 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 电感 电容 单刀单掷开关 关断电容 控制电压 单刀双掷开关 串联谐振 导通状态 一端连接 中心频率 功率处理能力 晶体管串联 晶体管导通 并联谐振 关断状态 开关性能 第一端 并联 低电 高电 关断 电路 | ||
1.一种单刀单掷开关，其特征在于，所述单刀单掷开关包括晶体管、电感和电容；
所述晶体管的第一端与所述电感的一端连接，所述电感的另一端与所述电容的一端连接，形成单刀单掷开关的输出端；所述电容的另一端与所述晶体管的第三端连接，形成单刀单掷开关的输入端；
所述晶体管的第二端与控制电压连接；
所述电容的电容值C、所述电感的电感值L与中心频率f0的关系为：
所述晶体管的关断电容值COFF、所述电感的电感值L与中心频率f0的关系为：
2.根据权利要求1所述单刀单掷开关，其特征在于，所述单刀单掷开关还包括浮栅电阻；
所述浮栅电阻连接在所述控制电源和所述晶体管的第二端之间。
3.根据权利要求1所述的单刀单掷开关，其特征在于，所述晶体管为双极性晶体管，所述双极性晶体管的发射极、基极和集电极分别对应所述晶体管的第一端、第二端和第三端。
4.根据权利要求1所述的单刀单掷开关，其特征在于，所述晶体管为场效应晶体管，所述场效应晶体管的源极、栅极和漏极分别对应所述晶体管的第一端、第二端和第三端。
5.根据权利要求1所述的单刀单掷开关，其特征在于，所述中心频率为26GHz。
6.一种应用于相控阵收发系统的单刀双掷开关，其特征在于，所述单刀双掷开关包括两个权利要求1-5任一项所述的单刀单掷开关，分别为第一单刀单掷开关和第二单刀单掷开关；
所述第一单刀单掷开关的输入端和所述第二单刀单掷开关的输入端分别与天线连接；
所述第一单刀单掷开关的输出端与发送电路的输出端连接，所述第二单刀单掷开关的输出端与接收电路的输入端连接。
7.根据权利要求6所述的一种应用于相控阵收发系统的单刀双掷开关，其特征在于，所述第一单刀单掷开关的中心频率和所述第二单刀单掷开关的中心频率均与所述天线的收发频率相等。
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