[发明专利]发光显示设备及其制造方法在审
申请号: | 201910565939.5 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110649135A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 金洪宝;李元准;蔡伦姃;金喆浩;李斅哲 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/00;H01L23/544;H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准线 显示区域 像素电路层 非显示区域 显示元件 条子线 发光显示设备 电极 衬底 主线 电路元件 多层结构 发光器件 像素区域 电连接 外围处 申请 | ||
1.发光显示设备,包括:
衬底,包括显示区域和非显示区域,所述显示区域包括多个像素区域,所述非显示区域位于所述显示区域的外围处;
像素电路层,包括位于所述显示区域中的多个电路元件;
显示元件层,包括位于所述像素电路层上的所述显示区域中的多个发光器件;以及
第一对准线和第二对准线,位于所述非显示区域中,所述第一对准线和所述第二对准线各自具有多层结构,
其中,所述第一对准线和所述第二对准线中的每一个包括:
主线,位于与所述显示元件层中的至少一个电极相同的层中;以及
至少一条子线,电连接到所述主线,所述至少一条子线位于与所述像素电路层中的至少一个电极相同的层中。
2.如权利要求1所述的发光显示设备,其中,所述第一对准线和所述第二对准线位于所述衬底的相对的端部部分上以彼此面对,且所述显示区域位于所述第一对准线与所述第二对准线之间。
3.如权利要求1所述的发光显示设备,其中,所述第一对准线与所述显示区域的像素间隔开,以及
所述第二对准线连接到所述显示区域的所述像素。
4.如权利要求1所述的发光显示设备,其中,所述显示元件层包括:
第一像素电极和第二像素电极,位于所述像素电路层上的每个像素区域中;以及
所述发光器件,位于所述像素区域的所述第一像素电极与所述第二像素电极之间。
5.如权利要求4所述的发光显示设备,其中,所述第一对准线和所述第二对准线中的每一个的所述主线位于与所述第一像素电极和所述第二像素电极中的至少一个相同的层中。
6.如权利要求4所述的发光显示设备,其中,所述第一像素电极和所述第二像素电极在所述像素区域中的相同的层中彼此间隔开,
其中,所述发光器件的第一端部部分电连接到相应像素的第一像素电极,并且所述发光器件的第二端部部分电连接到所述相应像素的第二像素电极。
7.如权利要求6所述的发光显示设备,其中,所述显示元件层还包括:
第一接触电极,位于所述发光器件的所述第一端部部分上以将所述发光器件的所述第一端部部分连接到所述第一像素电极中的每一个;以及
第二接触电极,位于所述发光器件的所述第二端部部分上以将所述发光器件的所述第二端部部分连接到所述第二像素电极中的每一个。
8.如权利要求1所述的发光显示设备,其中,所述发光器件中的每一个包括:
第一半导体层,掺杂有第一导电掺杂剂;
第二半导体层,掺杂有第二导电掺杂剂;以及
有源层,位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。
9.如权利要求8所述的发光显示设备,其中,所述发光器件中的每一个是具有微米量级或纳米量级的棒式发光二极管。
10.如权利要求1所述的发光显示设备,还包括顺序地堆叠在所述衬底与所述显示元件层之间的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层。
11.如权利要求10所述的发光显示设备,其中,所述像素电路层包括位于所述显示区域的每个像素区域中的晶体管,
其中,所述晶体管包括:
半导体层,位于所述衬底与所述第一绝缘层之间;
栅电极,位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间,所述栅电极与所述半导体层的至少一个区域重叠;以及
第一电极,位于所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间,所述第一电极电连接到所述半导体层。
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