[发明专利]一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法

权利要求书

1.一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法，包括以下步骤：

步骤一、制绒和清洗，去除表面损伤层并生成绒面；

步骤二、低压扩散，采用低表面浓度、浅结扩散工艺；

步骤三、 激光掺杂；

步骤四、修复表面激光损伤，对激光掺杂SE电池的激光损伤区域浸入浓度为1%的TMAH溶液中，进行90±10S的腐蚀处理，去除电池表面的激光损伤后经过链式去除电池背面PSG，再进行槽式碱抛光；

步骤五、正反镀膜，在电池背面沉积氧化铝钝化膜，电池正、背面分别镀氮化硅膜后印刷正、背电极。

2.根据权利要求1所述改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法，其特征在于：所述步骤二中，当硅片表面形成扩散第一层磷层和扩散第二层磷层后，高温推结，再进行补源沉积处理形成附磷层。

3.根据权利要求2所述改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法，其特征在于：先将清洗制绒后的硅片放入管式扩散炉中；升温至770-790℃，通入O₂，保持5分钟形成扩散前的氧化层；控制温度在770-790℃，通入携带有POCl₃的N₂和O₂，流量比为3：4，保持4分钟；停止通入携带有POCl₃的N₂，保持5分钟并升温至800℃；继续通入携带有POCl₃的N₂和O₂，流量比为3：4，保持4分钟从而形成第二层磷层；升温到830-860℃，停止通入携带有POCl₃的N₂，11分钟；降低温度至800℃，通入携带有POCl₃的N₂和O₂，流量比为3：4，保持6分钟，沉积附磷层；降温至700℃，取出硅片，扩散完毕。

4.根据权利要求2所述改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法，其特征在于：扩散结束后的平均方阻为130 Ω/□。

5.根据权利要求1所述改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法，其特征在于：所述步骤三中，激光可调的有脉冲频率和激光功率，激光掺杂功率为85%，掺杂频率为170khz。

6.根据权利要求1所述改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法，其特征在于：所述步骤五中，正面膜的厚度为80nm，背面膜的厚度为130nm。