[发明专利]一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法

权利要求书

1.一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：

确定同位素热源所辐射的γ射线的种类m，以及第i种γ射线的能量E_i和绝对强度k_i，其中，i＝1,2,...,m；

确定同位素热源的屏蔽体包含的屏蔽材料层数n；

则同位素热源发射的各种单能γ射线经过屏蔽体后的剂量公式为：

其中，μ_en/ρ_en为接受辐射的半导体器件的质能吸收系数；φ₀为同位素热源发射的总粒子通量，为未知量；(μ/ρ)_i,j为第i种γ射线在第j层屏蔽材料下的质量减弱系数；ρ_j为第j层屏蔽材料的密度；d_j为第j层屏蔽材料的厚度；

当所述屏蔽体为一种已知材料x时，获得同位素热源所辐射的γ射线经过该屏蔽材料x后的吸收剂量公式为：

其中，ρ_x为屏蔽材料x的密度；d_x为屏蔽材料x的厚度；表示第i种γ射线在屏蔽材料x下的质量减弱系数；

求公式(1)和(2)的比值：

确定E_i、k_i、(μ/ρ)_i,j、ρ_j、d_j、ρ_x、d_x、的实际数值，以及屏蔽材料x的吸收剂量D_已知的实际数据代入到公式(3)中，得到同位素发射的各种单能γ射线经过屏蔽体后的剂量D_设计。

2.如权利要求1所述的一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，其特征在于，所述公式(1)中，γ射线为同位素热源中主要成分产生的γ射线。

3.如权利要求1或者2所述的一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，其特征在于，所述公式(1)中，γ射线为低于1MeV的γ射线。

4.如权利要求1所述的一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，其特征在于，所述公式(1)中，所述屏蔽材料选择屏蔽体中重核元素材料。

5.如权利要求1所述的一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，其特征在于，所述屏蔽材料x采用Fe材料。