[发明专利]可变电阻存储器装置

权利要求书

1.一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：

第一导线，位于基底上并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；

多个存储器单元，布置在第一导线的侧面处，在第一方向上彼此隔开，并且连接到第一导线；以及

多条第二导线，分别连接到所述多个存储器单元，

其中，所述多条第二导线在第二方向上与第一导线隔开，第二方向与基底的顶表面平行并且不同于第一方向，

其中，所述多条第二导线中的每条在与基底的顶表面垂直的第三方向上延伸并且在第一方向上彼此隔开，并且

其中，所述多个存储器单元中的每个包括可变电阻元件和选择元件，可变电阻元件和选择元件相对于基底的顶表面位于同一水平处并且在第二方向上水平布置。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，

其中，选择元件包括半导体图案，

其中，半导体图案包括多个杂质区域和位于所述多个杂质区域之间的沟道区域。

3.根据权利要求2所述的可变电阻存储器装置，

其中，所述多个杂质区域具有与沟道区域的导电类型不同的导电类型。

4.根据权利要求2所述的可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置还包括：

选择线，连接到选择元件，

其中，半导体图案具有在第一方向上彼此面对的第一侧表面，并且

其中，选择线设置在第一侧表面中的相应的一个侧表面上并且在第三方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的可变电阻存储器装置，

其中，选择线包括：

栅电极，与半导体图案的沟道区域相邻；以及

栅极介电层，位于半导体图案的沟道区域与栅电极之间。

6.根据权利要求4所述的可变电阻存储器装置，其中，

选择线包括在第三方向上彼此平行地延伸的一对选择线，以及

半导体图案置于所述一对选择线之间，并且所述一对选择线分别设置在半导体图案的第一侧表面上。

7.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置还包括：

多条选择线，位于第一导线的所述侧面上，

其中，所述多条选择线中的每条连接到所述多个存储器单元中的相应的一个存储器单元的选择元件，并且

其中，所述多条选择线在第三方向上彼此平行地延伸并且在第一方向上彼此隔开。

8.根据权利要求7所述的可变电阻存储器装置，其中，

选择元件包括半导体图案，

半导体图案包括多个杂质区域和位于所述多个杂质区域之间的沟道区域，并且

所述多条选择线中的每条包括：

栅电极，与半导体图案的沟道区域相邻；以及

栅极介电层，位于半导体图案的沟道区域与栅电极之间。

9.根据权利要求7所述的可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置还包括：

屏蔽线，位于所述多个存储器单元中的两个相邻的存储器单元之间，

其中，屏蔽线在第三方向上与选择线平行地延伸，屏蔽线置于所述多条选择线中的两条相邻的选择线之间。

10.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，

其中，可变电阻元件包括磁性隧道结图案或相变材料。

11.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置还包括：

多个垂直介电图案，

其中，所述多个垂直介电图案中的每个在所述多个存储器单元中的两个相邻的存储器单元之间延伸，并且

其中，所述多个存储器单元和所述多个垂直介电图案在第一导线的所述侧面上沿第一方向交替设置。