[发明专利]一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法在审
申请号: | 201910567608.5 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110190015A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 姜镕 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送带 清洗区 晶圆 喷嘴 清洗 第一表面 晶圆表面 晶圆清洗 清洗装置 生产性 翻面 种晶 机械式清洗 喷射清洁剂 清洗液喷射 产品表面 第二表面 翻面机构 方法变更 双面清洗 依次设置 擦伤 清洗液 待机 片式 相背 喷射 | ||
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括用于承载及输送晶圆的传送带,在所述传送带的输送方向上,所述装置依次设置有:用于对所述晶圆的第一表面进行清洗的第一清洗区、用于将晶圆翻面的翻面区、及用于对所述晶圆的第二表面进行清洗的第二清洗区,其中,所述第一表面和所述第二表面为相背的两个表面,在所述第一清洗区,所述传送带的上方设有用于向所述传送带上的所述晶圆的第一表面喷射清洗液的第一喷嘴,在所述第二清洗区,所述传送带的上方设有用于向所述晶圆的与所述第一表面相背的第二表面喷射清洁剂的第二喷嘴,在所述翻面区设置有用于将所述晶圆翻面的翻面机构。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,
所述清洗液为纯水与表面活性剂混合的混合液,其中所述纯水与所述表面活性剂的质量比为(20~30):1,且所述喷嘴的喷射角为60~70°。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,
在所述第一清洗区、所述第二清洗区和所述翻面区分别单独设有防溅射罩体。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,
所述第一清洗区、所述第二清洗区和所述翻面区对应位置分别设有回收槽,用于回收所述清洗液。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,
所述翻面区的防溅射罩体内还设有喷雾机构,用于向所述翻面机构上的晶圆喷雾。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,
所述翻面机构包括呈风车状的翻转盘,所述翻转盘包括盘面和桨叶,所述盘面沿边缘一圈呈辐射状均匀分布有多个桨叶,相邻两个桨叶之间形成容置晶圆的容置空间,每一所述桨叶的相对两表面分别为第一承载面和第二承载面,
其中,所述传送带分为第一段和第二段,所述第一清洗区位于所述第一段,所述第二清洗区位于所述第二段,所述第一段和所述第二段分别位于所述翻转盘的相对两侧,且所述第二段的输出端与所述翻转盘的桨叶正对,以将晶圆从所述传送带的第一段输送至所述翻转盘上,所述第二段的输入端与所述翻转盘的桨叶正对,以将晶圆从所述翻转盘输送至所述第二段上。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,
在所述传送带的输送方向上,所述装置还设置有位于所述第二清洗区之后的干燥区,在所述干燥区,所述传送带上方设有风刀。
8.一种晶圆清洗方法,其特征在于,采用如权利要求1至7任一项所述的装置对晶圆进行清洗,所述方法包括:
所述晶圆的第一表面朝上,通过所述传送带进行传送至第一清洗区,利用所述第一喷嘴向所述晶圆的第一表面喷射清洁剂,以对所述晶圆的第一表面进行清洗;
将所述晶圆通过翻面机构翻面,使所述晶圆的第二表面朝上,并通过所述传送带传送至所述第二清洗区,利用所述第二喷嘴向所述晶圆的第二表面喷射清洁剂,以对所述晶圆的第二表面进行清洗。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,
所述清洗液为所述清洗液为纯水与表面活性剂混合的混合液,其中所述纯水与所述表面活性剂的质量比为(20~30):1,且所述喷嘴的喷射角为60~70°,所述清洗液的温度为45~50℃,所述喷嘴所施加的喷射压力为1.5~9.5Mpa,所喷射的清洗液的量为2~3lpm。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述翻面区,通过喷雾机构向所述晶圆上喷雾,以湿润所述晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造