[发明专利]内绝缘塑封器件的生产工艺

说明书

本发明公开了一种内绝缘塑封器件的生产工艺，本发明的覆铜陶瓷片开孔的设计增加其整体高度，最大化的保证了覆铜区域的面积，可大幅增加装片有效区。最大可封装6090um*6330um&3000um*5000um芯片组合，可容纳多种版面芯片两两组合，满足市场大部分产品需求，从而保证经济效益；覆铜陶瓷片总厚度为1.24±0.05mm，在封装双台面产品时，可保证芯片沟槽内有足够量的塑封体填充。产品可顺利通过3000‑3500V_RMS绝缘电压，保证产品可靠性；采用头脚一体引线框架，可保证框架结构及尺寸的一致性，相比于传统散热片架与绝缘陶瓷片与引线脚架的生产模式，一体式框架与覆铜陶瓷片的的装配更为简便，生产效率可大幅提高。

技术领域

本发明涉及一种塑封器件的生产工艺，特别涉及一种内绝缘塑封器件的生产工艺。

背景技术

现阶段电子元器件封装技术领域中，常见的内绝缘塑封因需达到一定的绝缘要求，其结构及组成一般包括以下几点：

（1）采用绝缘陶瓷片。一般采用0.5±0.05mm的陶瓷片。生产过程中，为配合陶瓷片，通常采用头脚分立式框架结构，则存在生产步骤繁琐，生产效率降低，以及由于分立式的框架结构导致的烧结效果不稳定等一系列问题。

如上述采用绝缘陶瓷片制备成的内绝缘塑封器件也存在一定的风险。陶瓷片厚度为0.5^±0.05mm，在封装双台面芯片时，芯片沟槽下方塑封体填充高度为635μm左右，塑封体填充量较少，可能导致产品无法顺利通过3000-3500V_RMS左右的绝缘电压；

（2）传统绝缘陶瓷片或覆铜陶瓷片受框架影响，最大尺寸一般限制到与框架防水槽齐平。这种类型的陶瓷片大幅减少其载片区域，可封芯片尺寸受限，陶瓷片利用率低下；

（3）传统内绝缘塑封器件因其采用陶瓷片的缘故，框架一般为头脚分立式结构（个别封装类别采取分粒式散热片框架）。生产过程中需多次组装框架，操作繁琐，效率低下。烧结过程中可能会出现头脚框架位置偏移，空洞偏大等问题。又因其特殊结构，框架尺寸一致性不能得到保证。

发明内容

本发明的目的在于提供一种内绝缘塑封器件的生产工艺。

本发明采用的技术方案是：

内绝缘塑封器件的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：来料检验：保证所需芯片及原材料均满足正常生产要求；

步骤2：装片烧结：各层点胶位置居中分布，点胶量均匀饱满；烧结炉中氧气浓度≤300PPM，真空压力0-10kPa，步进时间60±10s，温区设置(200/250/300/310/370/340/265)±10℃，实现引线框架与覆铜陶瓷片定位准确，上下左右位置偏差＜0.5mm，转角偏差＜8°，铜引线片与管脚间无虚焊，烧结后总空洞率≤18°，单个空洞率≤5°；

步骤3：铝线键合：一焊时间2.5±0.5，一焊功率6.0±1.0，一焊压力6.0±1.0，二焊时间2.5±0.5，二焊功率6.0±1.0，二焊压力6.0±1.0，保证焊点牢固，焊点无畸形，铝线无根切现象，铝线拉力值符合产品要求；

步骤4：塑封后固化：采用KHG500塑封料，合模压力130＋20kg/cm²，排片机温度170±20℃，框架预热时间2±1min，上模温度190±20℃，下模温度185±20℃，注进压力55±10kg/cm² ，注进慢速时间10±3s，注进慢速速度4±2mm/s，固化时间100±20s，保证产品无漏封及塑封体残缺，无异常溢料，无浇道残留，塑封体表面良好；

步骤5：表面处理：软化去飞边后，进行表面处理，在产品引线脚及散热片表面均匀镀上一层银白色镀层，镀层厚度7-12μm；