[发明专利]一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器在审
| 申请号： | 201910568545.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110460312A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 梁煜;党艳杰;张为 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/48;H03F1/56;H03G3/30 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 程毓英<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏极 输入匹配级 噪声抵消 第一端 电阻 低噪声放大器 输出匹配级 输出阻抗 栅极连接 电容 宽带 源极 | ||
1.一种宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器，其特征在于：设有输入匹配级、噪声抵消级和输出匹配级，其中，
所述输入匹配级包括：第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3)；所述第一晶体管(M1)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端、输入信号(IN)和第四晶体管(M4)的栅极连接；所述第二晶体管(M2)的漏极与第一晶体管(M1)的漏极、第一电阻(R1)的第二端和第一电容(C1)的第一端连接；所述第二晶体管(M2)的源极与第三晶体管(M3)的漏极连接。
所述噪声抵消级包括：第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)和第六晶体管(M6)；
其中，所述第四晶体管(M4)的漏极与第五晶体管(M5)的源极连接；所述第五晶体管(M5)的漏极与第二电容(C2)的第一端、第六晶体管(M6)的源极连接；所述第六晶体管(M6)的栅极与第一电容(C1)的第二端和第二电阻(R2)的第一端连接；
所述输出匹配级包括：第七晶体管(M7)和第八晶体管(M8)；所述第七晶体管(M7)的漏极与第八晶体管(M8)的源极和输出信号(OUT)连接；所述第八晶体管(M8)的栅极与第二电容(C2)的第二端和第三电阻(R3)的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的宽带输出阻抗稳定的低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管(M3)的源极、第三晶体管(M2)的衬底、第二晶体管(M2)的衬底、第六晶体管(M6)的漏极、第八晶体管(M8)的漏极、和第二电阻(R2)的第二端和第三电阻(R3)的第二端均与第一电压源(V1)连接；
所述第三晶体管(M3)的栅极与第二电压源(V2)连接；
所述第五晶体管(M5)的栅极与第三电压源(V3)连接；
所述第七晶体管(M7)的栅极与第四电压源(V4)连接；
所述第一晶体管(M1)的源极、第一晶体管(M1)的衬底、第四晶体管(M4)的源极、第四晶体管(M4)的衬底、第五晶体管(M5)的衬底、第六晶体管(M6)的衬底、第七晶体管(M7)的源极、第七晶体管(M7)的衬底和第八晶体管(M8)的衬底均与接地端连接。
3.根据权利要求2所述的混频器，其特征在于，所述第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3)均为PMOS晶体管，其余均为NMOS晶体管。
4.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于，所述第一电压源(V1)提供直流偏置电压，且电压值为1.8V。
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