[发明专利]金属线的去层方法以及器件缺陷检测方法有效
申请号: | 201910568844.9 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN111430219B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 彭连举;魏家信 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属线 方法 以及 器件 缺陷 检测 | ||
1.一种金属线的去层方法,其特征在于,包括:
提供待检测的金属线样品,所述金属线样品包括经干法刻蚀工艺形成的金属线,所述金属线包括依次叠加的至少两层金属层,所述金属线包括第一金属层和叠加形成于所述第一金属层上的第二金属层;
将所述金属线样品浸入强碱性溶液,以去除所述金属线样品表面由于所述干法刻蚀工艺覆盖上的残留物;
从所述强碱性溶液中取出所述金属线样品后,将所述金属线样品浸入强酸性溶液;以及,
从所述强酸性溶液中取出所述金属线样品,获得去层后的金属线样品,所述强酸性溶液仅与所述第二金属层发生反应,所述去层后的金属线样品中不包括所述第二金属层。
2.如权利要求1所述的去层方法,其特征在于,在浸入所述强碱性溶液之前,所述金属线还包括叠加形成于所述第二金属层上的第三金属层,所述第三金属层不与所述强酸性溶液反应,所述去层后的金属线样品中不包括所述第三金属层。
3.如权利要求1所述的去层方法,其特征在于,所述强碱性溶液包括氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
4.如权利要求3所述的去层方法,其特征在于,所述强碱性溶液的浓度为5-7mol/L,反应温度为25℃~40℃,反应时间为1分钟~3分钟。
5.如权利要求1所述的去层方法,其特征在于,所述强酸性溶液为稀盐酸。
6.如权利要求1所述的去层方法,其特征在于,所述第一金属层包括氮钛化合物层,所述第二金属层包括铝层或者含铜的铝层。
7.如权利要求6所述的去层方法,其特征在于,所述干法刻蚀工艺的工艺气体的残留物包括氯化铝。
8.如权利要求7所述的去层方法,其特征在于,所述金属线样品浸入所述强碱性溶液后,进行第一次化学反应过程,当所述第一次化学反应过程开始冒出气泡时,从所述强碱性溶液中取出所述金属线样品,并将所述金属线样品浸入所述强酸性溶液进行第二次化学反应过程,当所述第二次化学反应过程无气泡冒出时,取出去层后的所述金属线样品。
9.一种器件缺陷检测方法,其特征在于,包括:
在干法刻蚀之后,对形成的金属线进行电性测试,并从未通过电性测试的晶片上采样,使用如权利要求1至8任一项所述的去层方法进行去层处理,以逐层检测器件是否有缺陷或者解析每一层的布线结构;以及
在去层处理之后,进行微小异常检视、二次电子扫描或者立体晶片检视。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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