[发明专利]一种压接型单芯片的测试装置在审
| 申请号： | 201910569128.2 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110286308A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡巍;赵媛;张静岚;胡应宏;李学宝;彭珑;马浩;马鑫晟;张超;徐党国;卢毅;龙凯华;杨大伟;杨敏祥 | 申请（专利权）人： | 国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力大学;国网冀北电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100045 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶针 单芯片 门极 压接 发射极电极 测试装置 芯片 下门 相对位置固定 测量和诊断 发射极区域 弹簧结构 弹簧压紧 刚性接触 绝缘能力 绝缘特性 可靠地压 松弛状态 所在平面 位置不变 误接地 下电极 电极 弹簧 导柱 翘角 虚接 与门 试验 | ||
1.一种压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：上电极、下电极和和两个行程导柱；
所述上电极包括低压电极、上绝缘法兰、发射极电极、弹簧结构和门极顶针；
所述下电极包括下绝缘法兰和高压电极；
所述低压电极通过均匀分布的螺母固定在所述上绝缘法兰的上表面；
所述发射极电极的上端从所述上绝缘法兰的下表面穿过所述上绝缘法兰与所述低压电极通过第一定位孔固定连接；
所述门极顶针通过所述弹簧结构连接在所述发射极电极的侧面；
所述高压电极通过均匀分布的螺母固定在所述下绝缘法兰的上表面；
所述上绝缘法兰和所述下绝缘法兰通过两个所述行程导柱连接；使用时，所述低压电极接地，所述高压电极接电源正极，将压接型单芯片放置在所述高压电极上，通过调整两个所述行程导柱使所述弹簧结构在松弛状态下所述门极顶针超出发射极电极的下端所在的平面，所述弹簧结构在压紧状态下，所述门极顶针的下端与所述发射极电极的下端处于同一平面。
2.根据权利要求1所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，测试装置还包括加热台；
所述加热台从所述下绝缘法兰的下表面穿过所述下绝缘法兰与所述高压电极通过第二定位孔固定连接。
3.根据权利要求2所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述加热台包括加热盘和陶瓷片；
所述陶瓷片设置在所述加热盘和所述高压电极之间，所述加热台、所述陶瓷片和所述高压电极通过所述第二定位孔固定连接。
4.根据权利要求3所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述加热台还包括热电偶和控制器，所述热电偶与所述控制器连接，所述控制器与所述加热盘连接；所述热电偶用于测量加热盘的温度，并将加热盘的温度信息发送给所述控制器，所述控制器用于根据所述温度信息和用户设定的温度的差值，采用PID调节的方式，调节所述加热盘的加热温度。
5.根据权利要求1所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括气压调节装置，所述气压调节装置从所述下绝缘法兰的下表面穿过所述下绝缘法兰与所述高压电极通过第二定位孔固定连接。
6.根据权利要求1所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括机械压力调节装置，所述机械压力调节装置从所述下绝缘法兰的下表面穿过所述下绝缘法兰与所述高压电极通过第二定位孔固定连接。
7.根据权利要求1所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述行程导柱包括定位套和导柱；
所述定位套固定在所述下绝缘法兰的上表面；
所述导柱的一端通过螺栓固定在上所述上绝缘法兰的下表面，所述导柱的另一端套入所述定位套内。
8.根据权利要求1所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述高压电极的上表面设置有芯片凹槽。
9.根据权利要求1所述的压接型单芯片的测试装置，其特征在于，所述压接型单芯片为压接型IGBT单芯片或压接型FRD单芯片。
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