[发明专利]碳化硅MOSFET及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：

碳化硅衬底(401)；

第一掺杂类型的漂移区(402)，其位于所述碳化硅衬底(401)上；

沟槽，所述沟槽延伸到所述漂移区(402)中，而且在所述沟槽内形成有栅极结构；

第二掺杂类型的碳化硅阱区(403)，其位于所述沟槽两侧的所述漂移区(402)上，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；

第二掺杂类型的硅阱区(408)，其位于所述碳化硅阱区(403)上；

源区(409)和源接触区(411)，其位于所述硅阱区(408)上。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述碳化硅MOSFET还包括形成在所述沟槽底部的屏蔽层(405)，并且所述屏蔽层(405)位于所述栅极结构的下方，所述屏蔽层(405)具有与所述漂移区(402)相反的掺杂类型。

3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述栅极结构包括形成在所述沟槽的侧壁上的栅介质层(406)以及填充在所述沟槽中的栅极(407)。

4.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述源区(409)邻近所述沟槽，所述源接触区(411)位于所述源区(409)的外侧，并且部分所述源接触区(411)与所述源区(409)的底部相连接。

5.根据权利要求4所述的MOSFET器件，其特征在于，所述源区(409)具有与所述漂移区(402)相同的掺杂类型，所述源接触区(411)与所述源区(409)具有相反的掺杂类型。

6.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述碳化硅MOSFET还包括：

源电极(412)，位于所述碳化硅MOSFET的正面上；

绝缘介质隔离层(410)，用于隔离所述栅极结构与所述源电极(412)；以及

漏电极(413)，位于所述碳化硅MOSFET的背面上。

7.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述碳化硅衬底(401)是重掺杂的，所述漂移区(402)是轻掺杂的。

8.一种碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：

在碳化硅衬底(401)上形成第一掺杂类型的漂移区(402)；

在所述漂移区(402)上形成第二掺杂类型的碳化硅阱区(403)；

在所述碳化硅阱区(403)上形成第一掺杂类型的硅层(404)；

形成贯穿所述硅层(404)和所述碳化硅阱区(403)并延伸到所述漂移区(402)中的沟槽；

在所述沟槽中形成栅极结构；

在所述硅层(404)中，形成位于所述碳化硅阱区(403)上的第二掺杂类型的硅阱区(408)；以及

在所述硅阱区(408)上形成源区(409)和源接触区(411)。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述硅层(404)中，形成位于所述碳化硅阱区(403)上的第二掺杂类型的硅阱区(408)，包括：

通过栅极结构自对准将第二掺杂类型的粒子注入所述硅层(404)；以及

通过扩散方法在注入所述第二掺杂类型的粒子的所述硅层(404)中形成第二掺杂类型的所述硅阱区(408)。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述硅阱区(408)上形成源区(409)，包括：

通过栅极结构自对准在所述硅阱区(408)的表面注入第一掺杂类型的粒子；以及

退火以激活在所述硅阱区(408)的表面注入的第一掺杂类型的粒子，形成第一掺杂类型的所述源区(409)。