[发明专利]存储器管理方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明提供一种存储器管理方法、装置、电子设备及存储介质，其中，该方法包括：接收用户设备发送的操作指令，其中，操作指令至少包括操作命令类型、第一物理页的起始地址以及物理页的容量；根据存储控制器单次传输数据的最大容量、第一物理页的起始地址及物理页的容量，对第一物理页进行划分，获取与第一物理页对应的多个第二物理页；对多个第二物理页，执行与操作命令类型相对应的操作。本发明通过根据存储控制器单次传输数据的最大容量，将第一物理页进行逻辑拆分得到拆分后的多个第二物理页，存储控制器通过对多个第二物理页进行多次访问，实现数据的写入或读出，打破了现有技术中的硬件约束，实现存储控制器与存储器的灵活配置。

技术领域

本发明涉及存储介质技术领域，尤其涉及一种存储器管理方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

Flash闪存是一种非易失内存器件，能够在没有电流供应的条件下长久地保持数据。Nand-Flash是Flash闪存的一种，由于其具有容量大、读写速度快等特点，已得到越来越广泛的应用，例如：嵌入式产品中的数码相机、体积较小的U盘等。Nand-Flash是以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，现有技术中，通常根据Nand-Flash的页容量配置相应的Nand-Flash控制器，以保证包含Nand-Flash的设备能够正常运行。

当Nand-Flash控制器与Nand-Flash不兼容时，将导致整个设备处于不可用状态，因此，如何打破上述硬件约束，实现灵活配置，是亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、装置、电子设备及存储介质，以实现打破现有技术中的硬件约束，实现存储控制器和存储器的灵活配置。

第一方面，本发明提供一种存储器管理方法，该方法包括：

接收用户设备发送的操作命令，其中，所述操作命令至少包括操作命令类型、第一物理页的起始地址以及物理页的容量；

根据存储控制器单次传输数据的最大容量、所述第一物理页的起始地址以及所述物理页的容量，对第一物理页进行划分，获取与所述第一物理页对应的多个第二物理页；其中，所述存储控制器单次传输数据的最大容量为预先获取的参数；

对所述多个第二物理页，执行与所述操作命令类型相对应的操作。

可选地，所述根据存储控制器单次传输数据的最大容量、所述第一物理页的起始地址以及所述物理页的容量，对第一物理页进行划分，获取与所述第一物理页对应的多个第二物理页之前，还包括：

获取所述存储控制器单次传输数据的最大容量。

可选地，当所述第一物理页包括数据块区域和空闲区域，所述操作命令还包括：操作区域标记；

其中，所述操作区域标记包括：数据块区域标记和/或空闲区域标记。

可选地，若所述操作区域标记为数据块区域标记，所述根据所述存储控制器单次传输数据的最大容量、所述第一物理页的起始地址以及所述物理页的容量，获取与所述第一物理页对应的多个第二物理页，包括：

根据所述操作区域标记，确定所述第一物理页中目标操作区域的容量为所述数据块区域的容量；

根据所述存储控制器单次传输数据的最大容量以及所述数据块区域的容量，确定第二物理页的个数N，其中，N为正整数；

根据所述第二物理页的个数N，对所述数据块区域进行划分，获取与所述数据块区域对应的N个第二物理页。

可选地，若所述操作区域标记包括数据块区域和空闲区域标记，所述根据所述存储控制器单次传输数据的最大容量、所述第一物理页的起始地址以及所述物理页的容量，获取与所述第一物理页对应的多个第二物理页，包括：