[发明专利]存储器装置有效

专利信息
申请号: 201910569787.6 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110660909B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 江政鸿;郑忠;刘家玮 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,包括:

第一导体,沿着第一轴延伸;

第一选择器材料,其呈现第一U形轮廓且包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分;

第二选择器材料,其呈现第二U形轮廓且包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分;

第一可变电阻材料,包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的部分;以及

第二导体,与垂直于所述第一轴的第二轴平行地延伸,

其中所述第一选择器材料的第一部分、所述第二选择器材料的第一部分和所述第一可变电阻材料的部分沿着平行于第三轴的第一方向堆叠,其中,所述第三轴垂直于所述第一轴和所述第二轴。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,至少所述第一选择器材料的第一部分和所述第二选择器材料的第一部分形成第一电阻随机存取存储器位单元的选择器器件,且至少所述第一可变电阻材料的部分形成所述第一电阻随机存取存储器位单元的电阻器,其中,所述电阻器串联耦合到所述第一电阻随机存取存储器位单元的选择器器件。

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,所述第一导体形成所述第一电阻随机存取存储器位单元的位线且所述第二导体形成所述第一电阻随机存取存储器位单元的字线。

4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述第一选择器材料进一步包括沿着所述第一导体的第二侧壁延伸的第二部分,且所述第二选择器材料进一步包括沿着所述第一导体的第二侧壁延伸的第二部分。

5.根据权利要求4所述的存储器装置,还包括:

第二可变电阻材料,包括沿着所述第一导体的第二侧壁延伸的部分;以及

第三导体,与第二轴平行地延伸,

其中所述第一选择器材料的第二部分、所述第二选择器材料的第二部分和所述第二可变电阻材料的部分布置为沿着与所述第三轴平行的第二方向。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,至少所述第一选择器材料的第二部分和所述第二选择器材料的第二部分形成第二电阻随机存取存储器位单元的选择器器件,且至少所述第二可变电阻材料的部分形成第二电阻随机存取存储器位单元的电阻器,其中,所述第二电阻随机存取存储器的电阻器串联耦合到第二电阻随机存取存储器位单元的选择器器件。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,所述第一导体形成所述第二电阻随机存取存储器位单元的位线,且所述第三导体形成所述第二电阻随机存取存储器位单元的字线。

8.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述第一选择器材料的第一部分和第二部分、所述第二选择器材料的第一部分和第二部分、以及所述第一可变电阻材料和第二可变电阻材料的部分分别相对于所述第一导体镜像对称。

9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述第一导体部分地嵌入所述第一选择器材料中。

10.一种存储器装置,包括:

第一选择器材料,形成在衬底上,并呈现第一U形轮廓;

第二选择器材料,形成在所述第一选择器材料上,并呈现第二U形轮廓;

第一导体,与第一水平轴平行地延伸,其中所述第一导体的侧壁和下边界部分地嵌入所述第二U形轮廓中;

第一可变电阻材料,包括设置为沿着所述第一选择器材料的第一侧壁部分的部分;

第二可变电阻材料,包括设置为沿着所述第一选择器材料的第二侧壁部分的部分;

第二导体,设置为沿着所述第一可变电阻材料的部分,与垂直轴平行地延伸;以及

第三导体,设置为沿着所述第二可变电阻材料的部分,也与所述垂直轴平行地延伸。

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