[发明专利]一种提高电光调制器带宽的电极结构在审
| 申请号： | 201910570770.2 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110297338A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 杨登才;陈雨康;向美华;王云新;刘萍萍 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 吴荫芳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光调制器 带宽 电极结构 铌酸锂电光调制器 低介电常数材料 等效折射率 调制器芯片 铌酸锂电光 调制技术 二氧化硅 填充材料 行波电极 镂空结构 失配 填充 微波 | ||
1.一种提高电光调制器带宽的电极结构，在铌酸锂衬底(1)上制作光波导(5)及调制光波导(5)中光相位的共面波导结构的行波电极(2)，行波电极(2)包括信号电极和地电极，信号电极和地电极为平行的条状，其特征在于：所述的光波导(5)位于铌酸锂衬底(1)上表面内部；在铌酸锂衬底(1)上表面设置缓冲层(3)，所述的行波电极(2)位于缓冲层(3)上表面，并且将所述信号电极底部沿中心线走向做贯通的条状镂空(4)。
2.根据权利要求1所述的一种提高电光调制器带宽的电极结构，其特征在于：所述的铌酸锂衬底(1)为x切铌酸锂。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高电光调制器带宽的电极结构，其特征在于：所述缓冲层(3)为二氧化硅材料。
4.根据权利要求1或2所述的一种提高电光调制器带宽的电极结构，其特征在于：所述条状镂空(4)的截面形状为矩形。
5.根据权利要求4所述的一种提高电光调制器带宽的电极结构，其特征在于：所述条状镂空(4)填充低介电常数材料或不填充。
6.根据权利要求5所述的一种提高电光调制器带宽的电极结构，其特征在于：所述的光波导(5)为马赫曾德尔干涉光路，所述的行波电极(2)的信号电极位于中间，其地电极位于信号电极的两侧，所述马赫曾德尔光路的两臂位于行波电极(2)的信号电极和地电极之间。
7.根据权利要求6所述的一种提高电光调制器带宽的电极结构，其特征在于：所述的行波电极(2)的信号电极和地电极采用金属条。
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