[发明专利]一种显示基板、其制备方法及其显示装置有效
申请号: | 201910571150.0 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110335874B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 及其 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板,其包括基板层。其中所述基板层上设置有功能层,所述功能层上设置有第一定位层,其中所述第一定位层采用的构成材料包括磁性材料。本发明提供了一种显示基板,其采用新型的磁性定位功能层结构设计,使得其能够与其上设置的其它设有磁性定位层的功能层结构进行自对准操作,从而提升了两者间的对准精度,降低了后续因对准精度不够而可能导致的修复成本;同时,其采用的自对准方式也简化了相应的对准操作。
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域,尤其是,其中的一种显示基板、其制备方法及其显示装置。
背景技术
已知,随着平面显示技术的不断发展,业界开发出了各种类型的平面显示器,这其中由其是以LED为基础的显示器,更是得到了长足的发展。这其中除了一般常说的OLED显示器外,还发展出了Micro-LED(Micro Light Emitting Diode Display)显示器。
其中所述Micro LED Display的显示原理,是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在1~10μm等级左右;然后将这些LED批量式的转移至电路基板上(含下电极与晶体管),在利用物理沉积制程完成其上保护层与上电极的沉积,最后进行上基板的封装,如此,也就完成了一结构简单的Micro LED显示器。
但是,如上所述,为了制作微发光二极管显示器,需要把微小的LED从原始衬底转移到接收基板上并排列成阵列。而这一操作涉及巨量且微小的Micro LED器件的精确转移,以及后续的精确绑定等问题。
目前,业界已知的Micro LED与TFT间的电极连接绑定方案中,采用的方法一般为Micro LED先转移到接收基板上,再通过所述接收基板转移到预定位置处,然后在与显示基板上预图案化的绑定材料进行电极粘合绑定。其中的具体操作较多采用AuSn、InSn等类似的低熔点金属进行粘合,由于这其中的操作涉及绑定材料间的固相-液相-固相转化,较为复杂,同时也容易造成绑定不良,进而很大机率导致后续修复成本增加。
因此,确有必要来开发一种新型的显示基板,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种显示基板,其采用新型的磁性定位功能层结构设计,使得其能够与其上设置的其它具有磁性定位功能层结构进行自对准操作,从而提升了两者间的对准精度,降低了后续因对准精度不够而可能导致的修复成本;同时,其采用的自对准方式也简化了相应的对准操作。
本发明采用的技术方案如下:
一种显示基板,其包括基板层。其中所述基板层上设置有功能层,所述功能层上设置有第一定位层,其中所述第一定位层采用的构成材料包括磁性材料。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述第一定位层采用的磁性材料包括但不限于铁磁材料、钴磁材料或是镍磁材料等等;例如,包括但不限于NiFe、CoFe以及FeCrCo等磁性材料。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述第一定位层可以是单层结构,也可以是多层由不同磁性材料构成的叠层结构。例如,可以是2层叠层结构,也可以是3层或以上数量的叠层结构,具体可随需要而定,并无限定。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述功能层包括TFT器件层,所述TFT器件层上设置有钝化层(PV层),所述第一定位层设置在所述钝化层上。而在其他实施方式中,所述第一定位层也可以是设置在平坦层(OC层)或是绝缘层上等等,具体可随需要而定,并无限定。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述第一定位层上设置有Micro-Led,其中所述Micro-Led设置有对应的第二定位层,所述第二定位层也采用磁性材料构成,所述第一定位层和第二定位层之间通过磁性定位连接。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述第一定位层两侧的功能层上设置有堤坝层(Bank)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的