[发明专利]区熔硅单晶收尾方法和拉制方法在审
| 申请号： | 201910571165.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110318096A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 袁静;关树军;陈辉 | 申请（专利权）人： | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/00;C30B13/30 |
| 代理公司： | 北京市鼎立东审知识产权代理有限公司 11751 | 代理人： | 陈佳妹;贾满意 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 收尾 单晶 拉制 单晶体 上轴 区熔硅单晶 等径生长 降低功率 下轴 预设 固液交界面 区熔单晶炉 多晶原料 反复执行 有效解决 预设条件 直径缩小 成品率 变细 固液 位错 收缩 交界 生长 申请 | ||
1.一种区熔硅单晶收尾方法，其特征在于，包括：
S100，在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时，关闭所述等径生长操作，控制拉制所述单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降，并降低功率；
S200，在单晶固液交界面开始收缩时，控制所述下轴开启下降，并在单晶收尾腰开始变细时，控制所述上轴开启下降，并继续降低所述功率预设时间；
反复执行S100和S200，直至达到预设条件后，控制所述上轴开始上升，并在所述单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时，将多晶原料与单晶体分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结束等径生长并开启收尾的条件基于当前所设定的单晶体尺寸确定。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于当前所设定的单晶体尺寸，确定结束等径生长并开启收尾的条件，包括：
在当前所设定的所述单晶体尺寸为4英寸—6英寸之间时，确定所述结束等径生长并开启收尾的条件为：多晶原料的剩余长度为5mm—10mm；
在当前所设定的所述单晶体尺寸为3英寸以下时，确定所述结束等径生长并开启收尾的条件为：所述区熔单晶炉的上轴下降至下限位。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述单晶体尺寸为4英寸—6英寸之间时，所述预设条件为单晶收尾直径缩小至40mm—60mm之间；
在所述单晶体尺寸为3英寸以下时，所述预设条件为所述单晶固液交界面的直径为所述单晶体的直径的三分之一。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述单晶体尺寸为4英寸—6英寸之间时，所述预设条件为单晶收尾直径缩小至50mm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述第一预设数值的取值范围为10mm—30mm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一预设数值的取值为20mm。
8.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述功率的降低速率为：每5s下降0.5％*等径功率。
9.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述上轴下降速率为：等径生长时上轴下降速度；所述下轴下降速率为：所述单晶体等径生长时的下轴下降速度；所述上轴上升速率为：1mm/min。
10.一种区熔硅单晶拉制方法，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的区熔硅单晶收尾方法。
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