[发明专利]离线量产产品工艺参数调整方法及其调整系统

说明书

本发明公开了一种用于WAT离线量产产品工艺参数调整方法，包括：收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。本发明能去除量产测试中对参数的trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量调参，以此实现WAT时间的缩短。在现有工艺中，由于测试Trimming占WAT总时间的75％，本发明可以将WAT时间降低到原来的四分之一。

技术领域

本发明涉及半导体芯片生产领域，特别是涉及一种用于WAT使用的离线量产产品工艺参数调整方法。本发明还涉及一种用于WAT使用的离线量产产品工艺参数调整系统。

背景技术

WAT(Wafer Acceptance Test，晶片允收测试)：半导体晶片在完成所有制程工艺后，针对晶片上的各种测试结构所进行的电性测试。通过对晶片允收测试(WAT)数据的分析，可以发现半导体制程工艺中的问题，帮助制程工艺进行调整。

目前为了降低晶片生产成本，往往会在晶片制造后通过对特殊电路参数设定，进行Trimming(调参)来提高产品的精度来弥补工艺制造中的误差。但这个过程需要在测试中不断反复地调整测量最终找到最佳值。这个过程本身比较耗时，而且每个芯片参数值不同给量产同测带来麻烦，这样也会导致量产测试成本的提高，造成Trimming(调参)周期长，效率低的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于WAT，能去除参数Trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量Trimming的离线量产产品工艺参数调整方法。

本发明还提供了一种用于WAT，能去除参数Trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量Trimming的离线量产产品工艺参数调整系统。

为解决上述技术问题，本发明提供用于WAT的离线量产产品工艺参数调整方法，包括以下步骤：

1)收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；

2)通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；

3)量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。

进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，还包括以下步骤：

4)采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。

进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，实施步骤4)时，从探针台获得当前插针组坐标，计算出每个芯片的所需补正的参数，在向量内存中形成每个芯片独立的参数设定向量，并行向各个芯片发出所有参数的设定激励，一次性写完所有参数设定，在模拟测量硬件上获得反馈值，判断是否在规格内，去除未在规格内的补正设定。

进一步改进所述的离线量产产品工艺参数调整方法，采用以下方式计算每张晶片每个工艺参数的拟合平面函数；

a)收集晶片WAT工艺参数，建立每个WAT工艺参数的平面函数：

a₁₁x²+a₂₂y²+2a₁₂xy+2a₁₃x+2a₂₃y+a₃₃＝z；

a₁₁、a₂₂、a₁₂、a₁₃、a₂₃、a₃₃为平面函数的系数，X、Y为芯片在硅片上的坐标，Z为需要调整的工艺参数值；