[发明专利]一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法在审
| 申请号： | 201910571574.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112144012A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 毕新儒;赵显伟;李文卓;马培培 | 申请（专利权）人： | 陕西航天时代导航设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 宝鸡市新发明专利事务所 61106 | 代理人： | 席树文 |
| 地址： | 721006 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gt35 零件 表面 沉积 tin 工艺 方法 | ||
1.一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于，将零件置于真空炉内加抽真空并加热，之后向真空炉内通入氩气对球碗零件内表面进行氩离子刻蚀，氩离子刻蚀完成后启动靶材对刻蚀后的球碗零件内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后通入饱和量的氮气并开启钛靶沉积氮化钛层，该氮化钛层由多次沉积完成，每次沉积前对上一次沉积的氮化钛层实施氩离子刻蚀处理，每次氮化钛层沉积厚度不超过5μm，每次氩离子刻蚀厚度不超过1μm，直到氮化钛层达到预定厚度即可冷却出炉。
2.根据权利要求1所述的一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于：镀打底层时采用钛或铬作为靶材。
3.根据权利要求1或2所述的一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于：氩离子刻蚀、镀打底层、沉积氮化钛层时炉内温度保持在360～400℃。
4.根据权利要求3所述的一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于：氩离子刻蚀时弧电电流为10A弧电电压为200V，镀打底层时弧电电流为60A弧电电压为20V，沉积氮化钛层时弧电电流为80A弧电电压为20V。
5.根据权利要求4所述的一种GT35球碗零件内表面沉积TiN厚膜的工艺方法，其特征在于：通入氩气量和氮气量由炉内压控制，初始炉内压为4×10-5mbar，对零件表面氩离子刻蚀时炉内压为8×10-2mbar，对氮化钛层氩离子刻蚀时炉内压为5×10-2mbar，镀打底层时炉内压为3×10-2mbar，沉积氮化钛层时炉内压为3×10-2mbar。
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