[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201910572060.3 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110660830A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 世古畅哉 | 申请(专利权)人: | 天马日本株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沟道 像素电路 基板 薄膜晶体管 脉冲激光束 发光元件 扫描方向 退火 颜色发光元件 显示设备 位置处 照射 配置 | ||
一种显示设备,包括:基板;在基板上的多个发光元件;以及在基板上的多个像素电路,其被配置为一一对应地控制多个发光元件。多个像素电路中的每一个包括薄膜晶体管。薄膜晶体管包括沟道。多个像素电路被布置在沿用于对沟道进行退火的脉冲激光束的扫描方向的不同位置处。沟道中的至少用于相同颜色发光元件的沟道沿扫描方向被布置在脉冲激光束的照射周期的相同相位处。
技术领域
本公开涉及一种显示设备。
背景技术
有机发光二极管(OLED)元件是由电流驱动的自发光元件,并且因此其不需要背光。除此之外,OLED显示元件具有实现低功耗、宽视角和高对比度的优点;预期它有助于平板显示设备的发展。
有源矩阵型OLED显示设备具有显示区域,其中多个像素如矩阵以列和行排列。每个像素包括一个或多个子像素。在每个像素包括多个子像素的情况下,像素中的子像素发射不同颜色的光。子像素包括像素电路,该像素电路包括用于选择子像素的晶体管和用于向OLED元件供应电流的驱动晶体管,该OLED元件产生子像素的显示。包括在OLED显示设备中的晶体管是薄膜晶体管(TFT),并且典型地,它们是低温多晶硅(LTPS)TFT。单色OLED显示设备仅具有单色的像素阵列;相比之下,全色OLED显示设备具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的三原色的子像素阵列或者具有RGB滤色器阵列的白色(W)子像素阵列,以获得全色显示。
为了生产包括TFT的有源层的多晶硅,低温多晶硅工艺利用准分子激光退火(ELA)系统使非晶硅(a-Si)膜进行结晶(多晶化)。ELA系统是一种脉冲激光系统,其每次发射照射长窄区域。ELA系统使具有长窄照射区域的基板上的整个硅膜结晶。因此,ELA系统通过以下一次发射的照射区域与前一次发射的照射区域重叠的这种方式一点一点地移动脉冲激光束的照射区域来沿一个方向扫描基板。针对这个原因,多晶硅膜具有根据由脉冲频率和扫描速度确定的扫描间距的周期特性变化。
由于子像素以行和列规则地布置在显示区域内,因此子像素间距通常由屏幕大小和分辨率确定。从工艺的角度来确定ELA扫描间距以获得TFT的基本特性。因此,在被物理地布置在沿扫描方向的不同位置处的子像素中,TFT(其沟道)与脉冲激光束的连续发射的照射区域的位置关系是不同的。因此,TFT可以在像素电路中具有不同的特性。
例如,在使脉冲激光束的长轴与显示区域的水平方向一致的条件下,用ELA的长窄脉冲激光束垂直地扫描显示区域的情况下,所显示的图像可以具有水平亮条纹和暗条纹的循环图案。这些水平条纹被称为显示不均衡性。在所显示图像中循环地出现的条纹状不均衡性是由TFT特性的非均匀性引起的。例如,如美国专利号5,981,974中所公开的,还可以在液晶显示设备上观察到由TFT特性的非均匀性引起的显示不均衡性。
发明内容
因此,在用脉冲激光束对薄膜晶体管的沟道进行退火的情况下,需要一种使由用脉冲激光束照射引起的TFT特性的差异最小化的技术。TFT特性的差异是包括在第一像素电路中的薄膜晶体管的特性与包括在第二像素电路中的薄膜晶体管的特性之间的差异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的