[发明专利]半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法

权利要求书

1.一种半导体处理系统，其特征在于，该半导体处理系统包含:

一处理腔室，配置以处理一晶圆且包含一门，该门位于该处理腔室的一腔室壁的一外侧；

一污染侦测系统，配置以当该门位于一开启位置时，判断该门的一外表面上的一污染程度是否大于一基准程度；以及

一污染移除系统，配置以根据大于该基准程度的该污染程度，从该门的该外表面上移除多个污染物，该污染移除系统包含一气体喷嘴，该气体喷嘴配置以排出一气流而使该气流冲击该门的一侧面，且该气流不与所述污染物产生化学反应。

2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，当该门位于一关闭位置时，该污染侦测系统配置以判断该门的一侧面上的该污染程度。

3.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，当该门位于一关闭位置时，该污染移除系统配置以从该门的一侧面上移除所述污染物。

4.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，当该门位于一开启位置时，该污染移除系统配置以从该门的一底面擦除所述污染物。

5.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该污染侦测系统配置以发射一辐射、接收所发射的该辐射的一部分、侦测所接收的该部分的强度、以及根据所侦测的该强度判断该污染程度。

6.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该气流以范围从实质15度至实质75度的一入射角冲击该门的该侧面。

7.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该污染移除系统包含一气体喷嘴，该气体喷嘴配置以围绕一水平轴线动态旋转，而利用一气流以范围从实质15度至实质75度的一入射角冲击该门的一侧面。

8.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该污染移除系统包含多个擦拭元件的一阵列与多个支撑元件，所述多个支撑元件配置以支撑该阵列的所述多个擦拭元件中的每一所述擦拭元件的一下部，以在该污染移除系统的一擦拭操作的期间，防止每一所述擦拭元件的该下部与一上部一起弯曲。

9.根据权利要求8所述的半导体处理系统，其特征在于，该阵列的所述擦拭元件中的一第一擦拭元件的一高度大于该阵列所述擦拭元件中的一第二擦拭元件的一高度；以及其中该第一擦拭元件的一长度实质上等于该第二擦拭元件的一长度。

10.一种半导体处理系统，其特征在于，该半导体处理系统包含：

一处理腔室，配置以处理一晶圆且包含一门，该门位于该处理腔室的一腔室壁的一外侧；

一污染侦测系统，包含：

一红外线发射器，配置以当该门位于一开启位置时，沿着该门的一底面发射一辐射，其中该门的该底面位于该处理腔室的该腔室壁的该外侧；

一红外线侦测器，配置以侦测该辐射的一部分的一光学性质；以及

一处理器，配置以根据该光学性质判断该底面上的一污染程度；

一污染移除系统，配置以根据该污染程度从该底面移除多个污染物，该污染移除系统包含一气体喷嘴，该气体喷嘴配置以排出一气流而使该气流冲击该门的一侧面，且该气流不与所述污染物产生化学反应；以及

一马达，耦合至该气体喷嘴，且配置以在排出该气流时沿着Z轴移动该气体喷嘴。

11.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该处理器更配置以判断该污染程度是否大于一基准程度。

12.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该气体喷嘴具有一喷嘴出口表面，该喷嘴出口表面相对一垂直面倾斜实质30度至实质60度的一角度，且该气体喷嘴配置以利用一气流以一入射角为实质15度至实质75度冲击该门的一侧面。

13.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该红外线侦测器配置以接收该部分并侦测该部分的一强度。