[发明专利]一种AMOLED补偿电路

权利要求书

1.一种AMOLED补偿电路，其特征在于，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第二电容和二极管；

所述第一晶体管的漏极接电源电压，所述第一晶体管的栅极与外设的第一扫描信号电连接，所述第一晶体管的源极与第四晶体管的漏极电连接，所述第四晶体管的栅极分别与所述第一电容的一端和第二晶体管的源极电连接所述第四晶体管的源极分别与所述第二电容的一端、二极管的阳极和第五晶体管的漏极电连接，所述第五晶体管的栅极与外设的第三扫描信号电连接，所述第五晶体管的源极接参考电压，所述第二晶体管的漏极接数据电压，所述第二晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极电连接，所述第二晶体管的栅极与外设的第二扫描信号电连接，所述第三晶体管的漏极分别与所述第一电容的另一端和第二电容的另一端电连接，所述第三晶体管的源极与所述二极管的阴极电连接，所述二极管的阴极和所述第三晶体管的源极均接地。

2.根据权利要求1所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述第一扫描信号为低电压信号，所述第二扫描信号为高电压信号，所述第三扫描信号为高电压信号。

3.根据权利要求1所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述第一扫描信号为高电压信号，所述第二扫描信号为高电压信号，所述第三扫描信号为低电压信号。

4.根据权利要求1所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述第一扫描信号为低电压信号，所述第二扫描信号为高电压信号，所述第三扫描信号为低电压信号。

5.根据权利要求1所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述第一扫描信号为高电压信号，所述第二扫描信号为低电压信号，所述第三扫描信号为低电压信号。

6.根据权利要求1所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管至第五晶体管均为双栅极薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述二极管为有机发光二极管。

8.根据权利要求7所述的AMOLED补偿电路，其特征在于，所述有机发光二极管包括玻璃基板、透明导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极金属层，所述透明导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极金属层依次设置在玻璃基板表面。