[发明专利]屏蔽单元电容器阵列

权利要求书

1.一种集成电路上的电容器阵列，包括：

多个单元电容器，每个单元电容器包括，

孤立电容器节点，形成在集成电路的两个或多个金属层上的垂直结构中，并通过每个金属层之间的至少一个通孔联接；共享电容器节点，共享电容器节点与孤立电容器节点相邻而形成，共享电容器节点通过低阻抗路径联接到多个单元电容器中的其他单元电容器的共享电容器节点；以及屏蔽节点，与在至少一个金属层中的孤立电容器节点相邻形成，在所述金属层中形成孤立电容器节点，屏蔽节点联接到低阻抗节点。

2.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中：

共享电容器节点设置在N-1金属层上方的第N金属层中，其中，孤立电容器节点的顶部设置在N-1金属层，其中，N是大于或等于3的整数。

3.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中：

共享电容器节点包括在相同金属层中的两个指状物，其中设置有电容器孤立节点的顶部，孤立电容器节点的顶部设置在同一金属层中的共享电容器节点的两个指状物之间。

4.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中，所述共享电容器节点在相同金属层中的所述孤立电容器节点周围形成环，所述孤立电容器节点的顶部设置在所述金属层中。

5.根据权利要求1所述的电容器阵列，其中，所述屏蔽节点在所述孤立电容器节点周围形成环，并且设置在与共享电容器节点不同的所述金属层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器阵列，其中，电连接到所述孤立电容器节点的基部的导体终止在所述屏蔽节点下方。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器阵列，其中，将导体路由到所述阵列中以连接到相应的孤立电容器节点设置在单个金属层中。

8.根据权利要求7所述的电容器阵列，其中，所述导体中的相应导体在所述单个金属层中的所述阵列的四个侧面中的每一个上进入所述阵列。

9.根据权利要求7所述的电容器阵列，其中，所述屏蔽节点形成在比设置所述共享电容器节点的第N个金属层更靠近所述单个金属层的金属层中，其中，N是至少为4的整数。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器阵列，其中，所述阵列是二进制加权电容器阵列，其具有用于至少更高加权电容器值的共同质心放置，从而消除用于更高加权电容值的、x和y方向上的线性过程梯度。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器阵列，还包括形成在所述阵列的外围上的多个虚拟单元电容器，所述虚拟单元电容器联接到所述低阻抗节点。

12.一种制造电容器阵列的方法，包括：

形成多个单元电容器，其中，形成每个单元电容器包括，

在垂直结构中形成孤立电容器节点，所述垂直结构包括集成电路的两个或多个金属层以及所述两个或多个金属层中的每个金属层之间的一个或多个通孔；形成与第N个金属层中的孤立电容器节点的第一部分相邻的共享电容器节点，N为三或大于三的整数；

在除第N个金属层之外的至少一个金属层中形成屏蔽节点；和

形成屏蔽导体以联接，来屏蔽低阻抗节点。

13.根据权利要求12所述的制造电容器阵列的方法，还包括：

形成第N-1个金属层中的孤立电容器节点的顶部。

14.根据权利要求12所述的制造电容器阵列的方法，还包括将共享电容器节点形成为在同一金属层中的两个指状物，其中，孤立电容器节点的顶部设置在其中，孤立电容器节点的顶部被设置在同一金属层中的两个指状物之间。