[发明专利]形成发光装置的制造方法及其所制成的发光装置有效
| 申请号： | 201910572937.9 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110289346B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吴佳裕;苏庆章;曾俊龙;沈庆兴 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 发光 装置 制造 方法 及其 制成 | ||
1.一种形成发光装置的制造方法，包含:
提供基板；
形成发光结构于该基板上，该发光结构具有活性层、上表面以及侧壁；
形成保护层于该发光结构的该上表面及该侧壁上，该保护层具有第一厚度；
照射一激光，利用该激光切割该保护层至该基板；
蚀刻该发光结构上所有的该保护层，使该保护层具有第二厚度小于该第一厚度；以及
图案化具有该第二厚度的该保护层以形成电流障壁层。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一厚度与该第二厚度的差大于及/或该第二厚度介于
3.如权利要求1所述的制造方法，还包含利用该激光形成沟槽于该基板内。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中，该蚀刻该发光结构上所有的该保护层的方法包含以一酸性溶液湿蚀刻该保护层。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中，形成该发光结构还包含依序形成第一半导体层、该活性层、及第二半导体层于该基板上；以及在形成该保护层之前，蚀刻该发光结构以曝露出部分该第一半导体层。
6.如权利要求1所述的制造方法，在图案化该保护层之后，还包含形成透明导电层于该电流障壁层及该发光结构上；以及形成电极于该透明导电层对应在该电流障壁层的位置上。
7.如权利要求1所述的制造方法，其中，该电流障壁层包含二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或二氧化钛(TiO2)。
8.如权利要求6所述的制造方法，其中，该电流障壁层包含一与该电极大致相同的形状，以及具有一大于该电极的面积。
9.如权利要求1所述的制造方法，其中，该电流障壁层包含倾斜侧壁。
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