[发明专利]SRAM结构及其形成方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器(SRAM)结构，包括：

衬底；

P型阱区，位于所述衬底上方；

N型阱区，位于所述衬底上方并且在结处邻接所述P型阱区；

P型金属氧化物半导体晶体管，位于所述N型阱区中；

N型金属氧化物半导体晶体管，位于所述P型阱区中；

介电层，位于所述P型金属氧化物半导体晶体管和所述N型金属氧化物半导体晶体管上方；以及

介电结构，位于所述结上方并且从所述结延伸至所述介电层的顶面；

其中，所述P型金属氧化物半导体晶体管通过所述介电结构与所述N型金属氧化物半导体晶体管分隔开。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，

其中，所述N型金属氧化物半导体晶体管包括位于所述P型阱区中的第一鳍，并且所述第一鳍从所述P型阱区延伸，穿过隔离层，并且延伸到所述介电层中，

其中，所述P型金属氧化物半导体晶体管包括位于所述N型阱区中的第二鳍，并且所述第二鳍从所述N型阱区延伸，穿过所述隔离层，并且延伸到所述介电层中，

其中，所述介电结构延伸穿过所述隔离层。

3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，

其中，所述N型金属氧化物半导体晶体管包括位于所述第一鳍上方的第一栅极结构，

其中，所述P型金属氧化物半导体晶体管包括位于所述第二鳍上方的第二栅极结构，

其中，所述介电结构在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间延伸。

4.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器结构，其中，所述介电结构的材料与所述隔离层的材料不同。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其中，所述介电结构包括带正电荷的材料。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器结构，其中，所述介电结构包括带负电荷的材料。

7.一种静态随机存取存储器(SRAM)结构，包括：

N型阱区，夹在衬底上方的第一P型阱区和第二P型阱区之间，所述第一P型阱区在第一结处邻接所述N型阱区，并且所述第二P型阱区在第二结处邻接所述N型阱区；

第一下拉晶体管和第一传输门晶体管，位于所述第一P型阱区上方，所述第一下拉晶体管包括第一栅极，并且所述第一传输门晶体管包括第二栅极；

第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，位于所述N型阱区上方，所述第一上拉晶体管包括第三栅极，并且所述第二上拉晶体管包括第四栅极；

第二传输门晶体管和第二下拉晶体管，位于所述第二P型阱区上方，所述第二传输门晶体管包括第五栅极，并且所述第二下拉晶体管包括第六栅极；以及

介电结构，位于所述第一结上方并且从所述第一结延伸，并且位于所述第二栅极和所述第四栅极之间。

8.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器结构，还包括：隔离层，位于所述第二栅极和所述第一P型阱区之间并且位于所述第四栅极和所述N型阱区之间，其中，所述介电结构延伸穿过所述隔离层。

9.根据权利要求8所述的静态随机存取存储器结构，其中，所述隔离层和所述介电结构由不同的材料制成。

10.一种制造静态随机存取存储器(SRAM)结构的方法，包括：

在衬底上方形成第一鳍结构；

在所述第一鳍结构周围形成隔离结构；

形成第一栅极堆叠线，所述第一栅极堆叠线横跨所述第一鳍结构并且在所述隔离结构上方延伸；

形成穿过所述第一栅极堆叠线和所述隔离结构并且延伸到所述衬底中的沟槽；以及

用第一介电材料填充所述沟槽以形成介电结构，所述介电结构将所述第一栅极堆叠线分成第一栅极结构和第二栅极结构。