[发明专利]一种含碘敷银硅胶的水化低温固化方法

权利要求书

1.一种含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，包括以下步骤：

将含放射性碘的敷银硅胶颗粒与固化基材原料粉混合，加入去离子水后进行研磨，得到水基浆料，其中，固化基材原料粉由B₂O₃，Bi₂O₃，ZnO及SiO₂组成；

控制烧结炉升温至设定的烧结温度，通过搅拌保持所述水基浆料处于混合均匀的状态，对水基浆料进行加热，使水基浆料的温度控制在20-60℃，将水基浆料定速输送滴入烧结炉中进行烧结操作；

水基浆料输送完成后，按照预设的保温时长进行保温，保温完成后冷却，得到含碘敷银硅胶玻璃固化体。

2.如权利要求1所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，含放射性碘的敷银硅胶颗粒与固化基材原料粉研磨后，得到的颗粒的外径小于100μm；含放射性碘的敷银硅胶颗粒与固化基材原料粉的总的质量与去离子水的质量比控制在0.1～0.2。

3.如权利要求1所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，含放射性碘的敷银硅胶颗粒与固化基材原料粉，按质量百分数计，所述含放射性碘的敷银硅胶颗粒为10％～80％；所述固化基材原料粉为20％～90％。

4.如权利要求1所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，所述固化基材原料粉中，B₂O₃质量分数为4％～70％，Bi₂O₃质量分数为14％～59％，ZnO质量分数为3％～31％，SiO₂质量分数为5％～30％。

5.如权利要求1所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，水基浆料输送至烧结炉的速率为0.0048-36ml/min。

6.如权利要求1所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，烧结炉进行升温的方式为以5～10℃/min的升温速率升至预设的烧结温度，所述预设的烧结温度为200～500℃，设定的保温时长为2h～7h。

7.如权利要求1～6任意一项所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，水化低温固化方法通过水化合成系统实施，所述水化合成系统包括：

烧结炉，内部安装有烧结容器和加热元件；

胶体磨，用于混合并研磨固化基材原料粉与含放射性碘的敷银硅胶颗粒，得到水基浆料；

储料容器，用于存储水基浆料；

搅拌元件，设置在储料容器内，用于搅拌水基浆料；

搅拌驱动元件，用于驱动所述搅拌元件旋转；

输送管路，用于连接烧结炉和所述储料容器；以及

输送装置，与输送管路配合，用于将储料容器内的水基浆料输送至所述烧结炉的烧结容器中；

所述输送管路包括安装在烧结炉上的中空的金属管以及一端与金属管对接另一端用于伸入储料容器的胶质软管，所述金属管位于所述烧结容器的正上方，金属管的侧壁内部具有冷却流道，金属管上还具有进液口和出液口，进液口和出液口分别与冷却流道的两端连通，所述胶质软管的一端从上往下伸入所述金属管的中空部分，并与金属管固定，从胶质软管出来的水基浆料滴入所述烧结容器中；所述进液口和所述出液口通过管路连接有换热元件，所述管路上安装有循环泵，所述循环泵用于驱动管路内的冷却介质流动。

8.如权利要求7所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，所述储料容器的侧壁安装有第一磁性件，所述胶质软管伸入储料容器的部分安装有第二磁性件，所述第一磁性件和第二磁性件磁性吸合，所述储料容器的内侧壁具有一对间隔设置的限位块，所述限位块位于储料容器的中上区域，胶质软管伸入储料容器的部分位于两个限位块之间。

9.如权利要求8所述的含碘敷银硅胶的水化低温固化方法，其特征在于，水化合成系统还包括转动控制机构，所述转动控制机构包括：

机架，具有两个支撑柱；

支撑座，通过转动轴转动安装在两个支撑柱之间，支撑座上具有定位槽，所述储料容器的下端安装在所述定位槽中，所述搅拌驱动元件安装在支撑座上；

旋转电机，用于驱动支撑座相对机架转动，使储料容器倾斜，使储料容器与胶质软管端部对应的底壁区域位置最低。