[发明专利]一种带载能力强的ib电源安全栅电路在审
申请号: | 201910574962.0 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110336261A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 吴佳乐;甘梅;周俊鹏;全太锋;陈兵 | 申请(专利权)人: | 重庆光可巡科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 李朝虎 |
地址: | 400000 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 安全栅电路 带载能力 电源 安全栅 限流保护电路 抗干扰能力 容性负载 续流电路 非安电源信号 两级保护电路 限压保护电路 输出端信号 输入端接入 开关元件 仪器仪表 本安 限流 限压 应用 | ||
1.一种带载能力强的ib电源安全栅电路,其特征在于:ib电源安全栅电路的输入端接入非安电源信号、输出端信号接出给矿用仪器仪表,所述ib电源安全栅电路采用两级保护电路,包括限压保护电路和限流保护电路,所述限流保护电路上连接有续流电路。
2.根据权利要求1所述的一种带载能力强的ib电源安全栅电路,其特征在于:所述限压保护电路采用两级过压保护,所述限压保护电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、第一过压保护器和第二过压保护器;
所述MOS管Q1的源极与非安电源的电压输入端相连,所述MOS管Q1的栅极经过所述第一过压保护器后接地,所述MOS管Q1的漏极连接所述MOS管Q2的源极,所述第一过压保护器一端连接于所述MOS管Q1与所述MOS管Q2之间;所述MOS管Q2的栅极经过所述第二过压保护器后接地,所述MOS管Q2的漏极连接所述限流保护电路。
3.根据权利要求1所述的一种带载能力强的ib电源安全栅电路,其特征在于:所述限流保护电路采用两级限流保护,所述限流保护电路包括第一过流保护器、第二过流保护器、MOS管Q3、MOS管Q4,所述续流电路包括电阻R1和电阻R2;
所述第一过流保护器的一端连接所述限压保护电路、另一端连接MOS管Q3的源极,所述MOS管Q3的栅极连接所述第一过流保护器,所述MOS管Q3的漏极连接所述第二过流保护器,所述第二过流保护器连接所述MOS管Q4的源极,所述MOS管Q4的栅极连接所述第二过流保护器,所述MOS管Q4的漏极连接所述矿用仪器仪表;
所述电阻R1一端连接于所述第一过流保护器与所述MOS管Q3的源极之间、另一端连接于所述MOS管Q3的漏极与所述第二过流保护器之间,所述电阻R2一端连接于所述第二过流保护器与所述MOS管Q4的源极之间、另一端连接于所述MOS管Q4的漏极与所述矿用仪器仪表之间。
4.根据权利要求3所述的一种带载能力强的ib电源安全栅电路,其特征在于:所述电阻R1和所述电阻R2均作为续流电阻,且所述电阻R1与所述电阻R2的阻值相等。
5.根据权利要求4所述的一种带载能力强的ib电源安全栅电路,其特征在于:通过所述电阻R1、所述电阻R2的续流电路所能流过的最大电流为IX=(Vin-ib_Vout)/(R1+R2),Vin表示输入端电压值,ib_Vout表示输出端电压值。
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