[发明专利]一种新型压接式IGBT内部封装结构有效
| 申请号： | 201910575150.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416187B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 于凯;黄小娟 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 压接式 igbt 内部 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型压接式IGBT内部封装结构，其特征在于，包括IGBT芯片/FRD芯片(1)，所述IGBT芯片/FRD芯片(1)的上层为高导电高导热弹性材料层(2)，所述IGBT芯片/FRD芯片(1)的下层依次为钼层(3)、银层(4)或高导电高导热弹性材料层(2)，所述高导电高导热弹性材料层(2)的导热系数不小于100W/(m·k)，所述高导电高导热弹性材料层(2)的电导率不小于1×104S/cm，所述高导电高导热弹性材料层(2)的可压缩厚度不小于0.1mm。
2.一种新型压接式IGBT内部封装结构，其特征在于，包括IGBT芯片/FRD芯片(1)，所述IGBT芯片/FRD芯片(1)的上层为钼层(3)，所述IGBT芯片/FRD芯片(1)的下层为高导电高导热弹性材料层(2)；所述高导电高导热弹性材料层(2)的下方设置有银层(4)，所述高导电高导热弹性材料层(2)与IGBT芯片/FRD芯片(1)之间设置有钼层(3)；所述高导电高导热弹性材料层(2)的导热系数不小于100W/(m·k)，所述高导电高导热弹性材料层(2)的电导率不小于1×104S/cm，所述高导电高导热弹性材料层(2)的可压缩厚度不小于0.1mm。
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