[发明专利]具有厚缓冲层的半导体层结构

说明书

一种半导体层结构，可以包括衬底、形成在衬底上的缓冲层，以及形成在缓冲层上的一组外延层。所述缓冲层可以具有大于2微米(μm)的厚度。所述一组外延层包括量子阱层。量子阱混合区域可以与所述量子阱层和从半导体层结构的表面的区域扩散的材料相关联地形成。

相关申请

本申请依据35U.S.C.§119要求2018年8月22日提交的美国临时专利申请No.62/721,346的优先权，其内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开涉及发射器阵列，并且更具体地涉及具有厚缓冲层的半导体层结构。

背景技术

半导体激光器由各种外延层形成。各种外延层生长在衬底上。当供应有电流时，半导体激光器发出激光。半导体激光器可以包括边缘发射激光器或垂直发射激光器，例如垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。

发明内容

根据一些实施方式，一种半导体层结构可以包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底上；以及一组外延层，其形成在所述缓冲层上，其中所述缓冲层具有大于2微米(μm)的厚度，其中所述一组外延层包括量子阱层，并且其中，与所述量子阱层和从半导体层结构的表面的区域扩散的材料相关联地形成量子阱混合区域。

根据一些实施方式，一种半导体激光器可以包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底上；以及一组外延层，其形成在所述缓冲层上，其中所述缓冲层具有在3微米(μm)至5μm的范围内的厚度，其中所述一组外延层包括量子阱层，并且其中，通过从半导体层结构的表面的区域扩散的材料使用量子阱混合在所述量子阱层内形成量子阱混合区域。

根据一些实施方式，一种光学装置可以包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底上；以及一组外延层，其形成在所述缓冲层上；其中所述缓冲层具有跨所述缓冲层平均4微米(μm)的厚度，其中所述一组外延层包括量子阱层，并且其中，使用量子阱混合通过从半导体层结构的表面的区域扩散的材料在所述量子阱层内形成量子阱混合区域，其中覆盖层形成在所述缓冲层上。

根据一些实施方式，一种方法可以包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层，其中所述缓冲层具有大于2微米(μm)的厚度；以及在所述缓冲层上形成一组外延层，其中所述一组外延层包括量子阱层，并且其中，与所述量子阱层和从半导体层结构的表面的区域扩散的材料相关联地形成量子阱混合区域。

附图说明

图1是描绘现有半导体层结构的激光波长和晶锭(boule)的切片数量之间的关系的图表。

图2是描绘本文所述具有厚缓冲层的半导体层结构的示例实施方式的图。

图3和图4是描绘比较缓冲层的各种厚度和针对所述各种厚度晶锭的切片数量和激光波长之间的对应关系的一个或多个图表的图。

图5是描绘用于形成本文所述的具有厚缓冲层的半导体层结构的示例过程的流程图。

具体实施方式

以下对示例实施方式的详细描述参考附图。不同附图中的相同附图标记可以标识相同或相似的元件。