[发明专利]一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置有效
申请号: | 201910575710.X | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110429047B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 赵玉会;翁佩雪;郭文海;邓丹丹;林锦伟;林伟铭 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;G03F7/20 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 魏小霞;徐剑兵 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 砷化镓 集成电路 制造 黄光区 自动化 系统 装置 | ||
本发明涉及砷化镓集成电路技术领域,特别涉及一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置。所述一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统,包括:参数控制单元、涂胶单元、曝光单元、显影单元、检测单元和晶舟传送单元;参数控制单元分别连接所述涂胶单元、曝光单元、显影单元、检测单元和晶舟传送单元;所述参数控制单元用于:获取不同单元的参数值,并根据不同的参数值对不同的单元发出不同的指令;所述晶舟传送单元用于:将晶片从一个单元传送至另一个单元。整个作业过程自动化,无需人工参与,不仅节约步骤,提高效率,同时也避免了一些人为操作上造成的错误。
技术领域
本发明涉及砷化镓集成电路技术领域,特别涉及一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统和装置。
背景技术
砷化镓集成电路(gallium arsenide integrated circuit,GaAsIC),是指用半导体砷化镓(GaAs)器件构成的集成电路。GaAsIC主要指以GaAs半导体材料为主所制作的集成电路,其有源器件主要是金属肖特基场效应晶体管(MESFET)和结型场效应晶体管(JFET);同时还包含了用分子束外延(MBE)和有机金属汽相沉积(MOCVD)生长的材料所制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等器件所研制的集成电路。
砷化镓集成电路制造过程中四大制程技术:黄光、蚀刻、薄膜、背面处理,所以在晶片完成薄膜沉积后,在进行蚀刻或离子植入前都必须经过黄光制程这道步骤。黄光制程的主要功能是依照电路设计者的需求将各层次的线路图,一层层完整的已光阻成像在晶片上,以作为后续制程的图版。
如图1所示,现黄光区工艺步骤主要分为六大步骤,当晶片进入黄光区作业时每一步骤都需要人工去上片、选择参数、下片、搬运。步骤较繁琐,大大降低了效率。
发明内容
为此,需要提供一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统,用以解决现有技术中晶片进入黄光区作业每一步骤都需要人工去上片、选择参数、下片、搬运等,步骤繁琐,效率低下的问题。具体技术方案如下:
一种砷化镓集成电路制造黄光区自动化系统,包括:参数控制单元、涂胶单元、曝光单元、显影单元、检测单元和晶舟传送单元;所述参数控制单元分别连接所述涂胶单元、曝光单元、显影单元、检测单元和晶舟传送单元;所述参数控制单元用于:获取不同单元的参数值,并根据不同的参数值对不同的单元发出不同的指令;所述涂胶单元用于:给晶片的表面均匀的涂上一层感光物质光阻;所述曝光单元用于:对涂完感光物质光阻后的晶片进行曝光;所述显影单元用于:对曝光后的晶片进行显影;所述检测单元用于:检测曝光后的晶片是否符合预设要求;所述晶舟传送单元用于:将晶片从一个单元传送至另一个单元。
进一步的,所述参数控制单元包括:机台状态模块、机台参数模块、Run货记录模块和机台信息记录模块;所述机台状态模块用于:记录不同机台的机台状态,所述机台状态包括:待机、运行、保养和异常中的一种或多种;所述机台参数模块用于:记录不同机台的参数;所述Run货记录模块用于:记录不同机台的Run历史参数,所述Run参数包括:时间、ID、参数名称和操作人中的一种或多种;所述机台信息记录模块用于:记录不同机台预设时间段内的状况参数,所述状况参数包括:保养时间、更换哪些零部件和更换光阻时间中的一种或多种。
进一步的,所述晶舟传送单元包括:可旋转抓取机械手、机械手轨道和Load/Unload单元;所述可旋转抓取机械手设置于机械手轨道上,所述可旋转抓取机械手用于:从Load/Unload单元上抓取晶片并将所述晶片搬运至不同的机台;所述涂胶单元、曝光单元、显影单元和检测单元均设置有Load/Unload单元,所述Load/Unload单元用于:搭载/卸载晶片。
进一步的,还包括扫码器;所述扫码器用于:读取晶片编号,获取所述晶片对应的参数,并上传所述晶片对应的参数至所述参数控制单元。
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