[发明专利]一种氧化物膜层的制备方法

说明书

本发明提供一种氧化物膜层的制备方法，具体步骤为；接通靶材电源，打开靶材挡板，向靶材与基板之间通入少量氧气，氧气离化为氧原子，将靶材原子溅射向基板上，以使靶材原子与离化的氧原子结合生成氧化物，从而在基板上形成氧化物膜层；关闭靶材电源，关闭靶材挡板，打开阳极层等离子电源，向离子源与基板之间通入氧气，氧气离化为氧离子，在阳极层等离子处出射，打到氧化物膜层基板上，以填充氧化物分子间的空隙；通过采用以上技术方案方法，大大提升氧化硅膜的致密性，提高氧化硅膜的可靠性，延长氧化硅膜的使用寿命。

技术领域

本发明属于氧化膜技术领域，具体涉及一种氧化物膜层的制备方法。

背景技术

电子产品在制作电子线路以及制作表面颜色效果，防反射，防指纹时都需要进行镀膜；膜层结构的致密性直接影响产品的可靠性以及寿命；镀膜过程中靶材原子从靶材往基板沉积的过程中，由于靶材原子较大，且原子之间存在间隙，其间隙不能容纳一个靶材原子，因此靶材原子之间存在做间隙，这种间隙让膜层的结构疏松，造成膜层的致密性低。

发明内容

本发明的目的是针对上述技术中存在的不足之处，提出一种氧化物膜层的制备方法，旨在解决现有氧化硅膜层致密性低的问题。

本发明提供一种氧化物膜层的制备方法，包括以下步骤：

S1：接通靶材电源，打开靶材挡板，向靶材与基板之间通入少量氧气，氧气离化为氧原子，将靶材原子溅射向基板上，以使靶材原子与离化的氧原子结合生成氧化物，从而在基板上形成氧化物膜层；

S2：关闭靶材电源，关闭靶材挡板，打开阳极层等离子电源，向离子源与基板之间通入氧气，氧气离化为氧离子，在阳极层等离子处出射，打到氧化物膜层基板上，以填充氧化物分子间的空隙。

进一步地，靶材为硅靶材；氧化物膜层为氧化硅膜层。

进一步地，硅靶材纯度为99.99％。

进一步地，靶材与基板的距离为5mm～30mm。

进一步地，靶材和所述基板位于真空腔室内。

进一步地，基板在镀膜前需要经过前处理。

进一步地，前处理包括清洗剂、丙酮、酒精和去离子水超声清洗。

进一步地，靶材原子溅射的方式为磁控溅射。

本发明提供的技术方法，以氧化硅膜层为例，选取硅靶材和基板，硅靶材与基板相对设置，将硅靶材通电以使硅原子溅射于基板上，硅原子溅射过程中，在硅靶材与基板间通入少量氧气，以使硅原子与氧原子不充分反应形成氧化硅膜，从而在基板上镀氧化硅膜；关闭硅靶材电源，关闭硅靶材挡板，以停止硅原子从硅靶材上射出，打开阳极层等离子电源，向离子源与基板之间通入氧气，氧气离化为氧离子，在阳极层等离子处出射，打到氧化硅膜层基板上，由于氧离子小于氧化硅分子，氧化硅分子在成膜时会出现间隙，氧离子填充氧化硅分子间的空隙，让氧化硅进一步氧化，形成二氧化硅，以提高氧化硅膜层的致密性；采用上述技术方法，可以避免硅原子在溅射过程中因受到气体原子和电子的碰撞，从而速度降低，能量降低，落到基板时能量不足而导致的氧化硅膜层疏松的问题，不仅大大提升氧化硅膜的致密性，还提高氧化硅膜的可靠性，延长氧化硅膜的使用寿命，有效地提升防反射和防指纹能力，方法简单，适用性强，可适用于其他氧化膜的镀膜。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

以下将结合附图对本发明作进一步说明：

图1 为本发明一种氧化物膜层的制备方法的流程图；

图2 为本发明一种氧化物膜层的制备方法的结构示意图；

图3 为本发明一种氧化硅膜的步骤S1的基板结构示意图；