[发明专利]金属TCO叠层薄膜及其制备方法和HIT太阳能电池

权利要求书

1.一种金属TCO叠层薄膜，用于HIT太阳能电池，其特征在于：包括：TCO基底层，以及依次设置在TCO基底层上的非晶TCO浸润层、金属膜层和TCO面层；

其中所述非晶TCO浸润层的厚度小于等于10nm，所述金属膜层的厚度大于等于1nm且小于等于30nm，所述金属TCO叠层薄膜的总厚度小于等于150nm。

2.根据权利要求1所述的金属TCO叠层薄膜，其特征在于：所述金属膜层包括Ag、Au、Mo、W、Cr、Nb、Ta、V、Sc、Zr、Hf中的一种。

3.根据权利要求1所述的金属TCO叠层薄膜，其特征在于：所述TCO基底层包括氧化铟锡层、掺铝氧化锌层、掺钨氧化铟层、掺铈氧化铟层层、掺镓氧化锌层、掺镓氧化铟层、铟镓锌氧化物层、铟锌氧化物层、掺氟氧化锌层中的一种；

所述非晶TCO浸润层包括氧化铟锡层、掺铝氧化锌层、掺钨氧化铟层、掺铈氧化铟层层、掺镓氧化锌层、掺镓氧化铟层、铟镓锌氧化物层、铟锌氧化物层、掺氟氧化锌层中的一种，

所述TCO面层包括氧化铟锡层、掺铝氧化锌层、掺钨氧化铟层、掺铈氧化铟层层、掺镓氧化锌层、掺镓氧化铟层、铟镓锌氧化物层、铟锌氧化物层、掺氟氧化锌层中的一种。

4.根据权利要求1所述的金属TCO叠层薄膜，其特征在于：所述金属TCO叠层薄膜具有大于等于4.5eV的功函数。

5.一种如权利要求1至4任意一项所述的金属TCO叠层薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

提供具有掺杂非晶硅膜层表面的单晶硅片；

在所述单晶硅片的掺杂非晶硅膜层的表面形成TCO基底层；

在所述TCO基底层上形成非晶TCO浸润层；

在所述非晶TCO浸润层上形成金属膜层；

在所述金属膜层上形成TCO面层。

6.根据权利要求5所述的金属TCO叠层薄膜的制备方法，其特征在于：所述在所述TCO基底层上形成所述非晶TCO浸润层为通过磁控溅射工艺形成。

7.根据权利要求6所述的金属TCO叠层薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的溅射压强为0.1～1.0Pa，溅射功率为60w～140w。

8.根据权利要求6所述的金属TCO叠层薄膜的制备方法，其特征在于：在所述磁控溅射工艺中，所述TCO基底层的温度为60℃～200℃。

9.根据权利要求5所述的金属TCO叠层薄膜的制备方法，其特征在于：所述在所述非晶TCO浸润层上形成所述金属膜层为通过磁控溅射工艺形成，所述磁控溅射的溅射压强为0.1～1.0Pa，溅射功率为60w～140w，所述TCO基底层的温度为60℃～200℃。

10.一种包括权利要求1至4任意一项所述的金属TCO叠层薄膜的HIT太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅片，在所述单晶硅片的正面依次包括：第一本征非晶硅层、N型非晶硅层、所述金属TCO叠层薄膜和栅电极层；

在所述单晶硅片的背面依次包括：第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、所述TCO面层、栅电极层。