[发明专利]直拉单晶方法、直拉单晶装置、计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种直拉单晶方法，其特征在于，所述方法包括：

提供单晶炉，所述单晶炉包括热场以及设置于所述热场内的加热器和至少一个热场件；

在所述单晶炉中生长并提拉单晶；

关闭加热器，使所述热场内的温度降低至第一预设温度；

在所述热场内的温度降低至第一预设温度的情况下，向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应；

其中，所述氢气与所述至少一个热场件反应包括：

所述氢气对所述至少一个热场件表面的金属氧化物进行还原。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述单晶炉内通入氢气，包括：

以第一预设流量向所述单晶炉内通入第一预设时长的氢气。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述以第一预设流量向所述单晶炉内通入第一预设时长的氢气，包括保持所述单晶炉内压力为第一预设压力；

在所述单晶炉内压力为第一预设压力的情况下，以所述第一预设流量向所述单晶炉内通入第一预设时长的氢气。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设流量大于等于10slpm小于等于30slpm；所述第一预设压力大于等于200托小于600托；所述第一预设时长大于等于30分钟小于等于180分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在提拉单晶以及使所述热场内的温度降低至第一预设温度的过程中，还包括：

向所述单晶炉内通入惰性气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应之前，还包括：

停止向所述单晶炉内通入惰性气体；

向所述单晶炉内通入氢气，排出所述单晶炉内的惰性气体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述向所述单晶炉内通入氢气，排出所述单晶炉内的惰性气体，包括保持所述单晶炉内压力为第二预设压力；

在所述单晶炉内压力为第二预设压力的情况下，以第二预设流量向所述单晶炉内通入第二预设时长的氢气，排出所述单晶炉内的惰性气体。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二预设压力大于等于10托小于等于20托；所述第二预设流量大于等于50slpm小于等于200slpm；所述第二预设时长大于等于20分钟小于等于50分钟。

9.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度大于等于600℃小于等于900℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述关闭加热器，使所述热场内的温度降低至第一预设温度之前，还包括：

预设所述热场件不同温度与颜色的第一对应关系；

检测所述热场件的颜色；

根据所述第一对应关系和检测得到的所述热场件的颜色，获得对应的热场内温度。

11.根据权利要求1至10中任一所述的方法，其特征在于，还包括：

在反应结束后，停止向所述单晶炉内通入氢气，并通入惰性气体，使所述单晶炉的温度降低至第二预设温度。

12.根据权利要求1至10中任一所述的方法，其特征在于，所述向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应之前，还包括：

检测所述热场内金属氧化物的含量；

所述向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应，包括：

在所述含量高于预设含量的情况下，向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应。