[发明专利]使用In在审

专利信息
申请号: 201910577676.X 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN110655922A 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: J·特拉斯基尔;C·伊彭;J·曼德斯;I·J-L·普兰特 申请(专利权)人: 纳米系统公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;H01L51/50;H01L51/54;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 陈文平;徐志明
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纳米结构 纳米技术领域 发光纳米 铟掺杂 壳层 发光
【权利要求书】:

1.一种纳米结构,其包括被至少一个壳包围的核,其中所述核包含ZnSe和铟掺杂剂,其中所述至少一个壳包含ZnS,并且其中所述纳米结构的发射波长在约435nm和约500nm之间。

2.如权利要求1的纳米结构,其中所述纳米结构的发射波长在440nm和480nm之间。

3.如权利要求1或2的纳米结构,其中所述纳米结构的发射波长在440nm和460nm之间。

4.如权利要求1-3任一项的纳米结构,其中所述核被至少一个壳包围。

5.如权利要求1-4任一项的纳米结构,其中至少一个壳包含3-8个ZnS单层。

6.如权利要求1-5任一项的纳米结构,其中至少一个壳包含约6个ZnS单层。

7.如权利要求1-5任一项的纳米结构,其中所述纳米结构还包含所述核和所述至少一个壳之间的缓冲层。

8.如权利要求7的纳米结构,其中所述缓冲层包含ZnSe。

9.如权利要求7或8的纳米结构,其中所述缓冲层包含2-6个ZnSe单层。

10.如权利要求7-9任一项的纳米结构,其中所述缓冲层包含约4个ZnSe单层。

11.如权利要求1-10任一项的纳米结构,其中所述纳米结构的光致发光量子产率在50%和90%之间。

12.如权利要求1-11任一项的纳米结构,其中所述纳米结构的光致发光量子产率在60%和90%之间。

13.如权利要求1-12任一项的纳米结构,其中所述纳米结构的FWHM在约10nm和约40nm之间。

14.如权利要求1-13任一项的纳米结构,其中所述纳米结构的FWHM在约10nm和约30nm之间。

15.如权利要求1-14任一项的纳米结构,其中所述纳米结构包含含有2-6个ZnSe单层的缓冲层和含有3-8个ZnS单层的至少一个壳。

16.如权利要求1-15任一项的纳米结构,其中所述纳米结构是量子点。

17.如权利要求1-16任一项的纳米结构,其中所述纳米结构不含镉。

18.一种包含权利要求1-17中任一项的纳米结构的装置。

19.一种制备纳米晶体核的方法,包括:

(a)混合硒源和至少一种配体以产生反应混合物;和

(b)使(a)中得到的反应混合物与锌源和至少一种铟盐接触;

以提供包含ZnSe和铟掺杂剂的纳米晶体核。

20.如权利要求19的方法,其中(a)中的所述硒源选自三辛基硒化膦、三(正丁基)硒化膦、三(仲丁基)硒化膦、三(叔丁基)硒化膦、三甲基硒化膦、三苯基硒化膦、二苯基硒化膦、苯基硒化膦、环己基硒化膦、八硒醇、十二硒醇、硒酚、元素硒、硒化氢、双(三甲基甲硅烷基)硒化物以及它们的混合物。

21.权利要求19或20的方法,其中(a)中的所述硒源是三辛基硒化膦。

22.权利要求19-21中任一项的方法,其中(a)中的所述至少一种配体选自三辛基氧化膦、三辛基膦、二苯基膦、三苯基氧化膦和三丁基氧化膦。

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