[发明专利]一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201910578323.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110265497B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘成法;袁玲;张然然;朱权;陈达明;陈奕峰 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 晶体 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选择n型的硅片预处理及制绒；
S2、在硅片的特定图形区域沉积一层富含硼的掺杂源；
S3、将沉积硼源后的硅片进行高温推进及扩散；
S4、单面去除硅片背面的硼硅玻璃层，同时保留正面的硼硅玻璃层，作为后道工序的掩膜阻挡层，保护正面的p-n结；
S5、将硅片背面及边缘的硼发射极去除，并重新制绒；
S6、硅片背面磷扩散，并形成选择性背场；
S7、清洗去掉正面硼硅玻璃层及背面的磷硅玻璃层，正面沉积氧化铝氮化硅减反钝化膜，背面沉积氮化硅钝化膜；
S8、丝网印刷正面电极及背面电极，其中正面电极印在重掺杂区域，高温烧结后完成电池制备。
2.如权利要求1所述的选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中特定图形区域与正面金属化图形一致，特定图形区域宽度为20～1000um。
3.如权利要求1所述的选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中通过碱液或酸液将背面及边缘的硼发射极去除。
4.如权利要求3所述的选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述碱液为TMAH或KOH。
5.如权利要求3所述的选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述酸液为HF或HNO3。
6.如权利要求1所述的选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中使用刻蚀或激光掺杂方式形成选择性背场。
7.如权利要求1～6任一所述的制备方法制备得到的选择性发射极的n型晶体硅太阳电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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