[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制备方法在审
申请号: | 201910578327.X | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN112151566A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 崔霜 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/48 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
本发明公开一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。该显示面板包括:发光层,发光层包括呈阵列分布的多个发光单元及阻隔物,相邻发光单元通过阻隔物相互分离设置,发光单元至少包括第一基色发光单元、第二基色发光单元和第三基色发光单元;其中,至少第一基色发光单元以及第二基色发光单元设置有光转换单元和亚波长光栅,对应第一基色发光单元设置的亚波长光栅具有使第一基色波段的光发生零反射,以及使微发光二极管的出射光发生全反射的特征参数,对应第二基色发光单元设置的亚波长光栅具有使第二基色波段的光发生零反射,以及使微发光二极管的出射光发生全反射的特征参数。采用本发明实施例能够解决色度不纯,显示失真和色域不佳的问题。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术
微发光二极管显示(Micro-Light Emitting Diode,Micro-LED)技术是指在背板上以高密度集成的微小发光二极管阵列为像素实现发光显示的技术。目前,Micro-LED彩色化显示方案多采用单一蓝色光源和量子点颜色转换层结合的方案,即在蓝光LED的激发下发出特定波长的光,通过纳米荧光粉或者量子点材料的光致发光效应将部分蓝光转化为红光和绿光,实现彩色显示。但是,由于纳米荧光粉或者量子点材料无法完全将蓝光转化为红光和绿光,使得一定比例的蓝光出射,导致Micro-LED彩色显示效果差,存在色度不纯,显示失真和色域不佳的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,能够提高Micro-LED彩色显示效果,解决色度不纯,显示失真和色域不佳的问题。
第一方面,本发明实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:
驱动背板,包括衬底基板以及设置于衬底基板上的驱动电路;
发光层,设置于驱动背板,发光层包括呈阵列分布的多个发光单元及阻隔物,相邻发光单元通过阻隔物相互分离设置,发光单元至少包括第一基色发光单元、第二基色发光单元和第三基色发光单元;
其中,至少第一基色发光单元以及第二基色发光单元设置有光转换单元和亚波长光栅,光转换单元使发光单元内设置的微发光二极管的出射光转换为与各子像素对应颜色的光,对应第一基色发光单元设置的亚波长光栅具有使第一基色波段的光发生零反射,以及使微发光二极管的出射光发生全反射的特征参数,对应第二基色发光单元设置的亚波长光栅具有使第一基色波段的光发生零反射,以及使微发光二极管的出射光发生全反射的特征参数。
在第一方面的一种可能的实施方式中,微发光二极管为蓝色微发光二极管,对应第一基色发光单元设置的光转换单元为红色转换单元,对应第二基色发光单元设置的光转换单元为绿色转换单元。
在第一方面的一种可能的实施方式中,亚波长光栅由阵列分布的多个块状光栅组成,或者由周期性排列的多个条状光栅组成。
在第一方面的一种可能的实施方式中,块状光栅或者条状光栅包括沿光栅厚度方向层叠设置的介质光栅层和金属光栅层,介质光栅层位于靠近光转换单元的一侧。
在第一方面的一种可能的实施方式中,微发光二极管为蓝色微发光二极管,对应第一基色发光单元设置的亚波长光栅具有与红色波段对应的特征参数,光栅周期为400nm~500nm,光栅间距为122nm~132nm;和/或,对应第二基色发光单元设置的亚波长光栅具有与绿色波段对应的特征参数,光栅周期为260nm~350nm,光栅间距为109nm~119nm。
在第一方面的一种可能的实施方式中,显示面板还包括第一透明基板,光转换单元位于第一透明基板的靠近微发光二极管的一侧,亚波长光栅位于第一透明基板的背向光转换单元的一侧。
在第一方面的一种可能的实施方式中,微发光二极管的远离驱动背板的一侧设置有第二透明基板,光转换单元位于第二透明基板的背向微发光二极管的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的