[发明专利]用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备

说明书

一种用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备。用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。

技术领域

本揭露涉及一种极紫外光收集器反射镜及一种极紫外光辐射源设备。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历指数增长。IC材料及设计的技术进展已经产生数代IC，其中每代皆比其前代具有更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(亦即，每晶片面积内互连元件的数量)通常已增加而几何尺寸(亦即，可使用制造制程产生的最小部件(或接线))已减小。此按比例缩小制程通常通过增加生产效率并降低相关成本来提供益处。此种按比例缩小亦增加了处理及制造IC的复杂性。例如，对执行较高解析度微影制程的需求增长。一个微影技术是极紫外光微影(EUVL)。EUVL采用扫描器，此等扫描器使用极紫外光(EUV)区域中具有约1-100nm的波长的光。与一些光学扫描器类似，一些EUV扫描器提供4×缩小投影晒像，但EUV扫描器使用反射而非折射光学元件，亦即，以反射镜替代透镜。一种类型的EUV光源是激光产生电浆(LPP)。LPP技术通过将高功率激光光束聚焦到小的锡液滴靶上以形成发射EUV辐射(在13.5nm处具有峰值最大发射)的高度离子化的电浆来产生EUV光。EUV光随后由LPP EUV收集器反射镜收集并且由光学元件朝向微影靶(例如，晶圆)反射。归因于粒子、离子、辐射、及(最严重的是)锡沉积的影响，LPP EUV收集器反射镜经历破坏及降级。

发明内容

本揭露提供一种用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。

本揭露提供一种极紫外光(EUV)辐射源设备包括：EUV收集器反射镜；靶液滴产生器，用于产生锡(Sn)液滴；可旋转碎屑收集机构；以及腔室，至少包围EUV收集器反射镜及可旋转碎屑收集机构。EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。

本揭露提供一种极紫外光(EUV)辐射源设备包括：EUV收集器反射镜；靶液滴产生器，用于产生锡(Sn)液滴；可旋转碎屑收集机构；腔室，至少包围EUV收集器反射镜及可旋转碎屑收集机构；以及金属再用系统。EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。将从排泄结构排泄的熔化金属导引至金属再用系统并且进一步提供到靶液滴产生器。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示案。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制，并且仅出于说明目的而使用。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。

图1是根据本揭示案的一些实施例构造的具有激光产生电浆(LPP)EUV辐射源的EUV微影系统的示意图；

图2A是根据本揭示案的一些实施例在EUV辐射源中使用的碎屑收集机构的示意性正视图；图2B是根据本揭示案的一些实施例在EUV辐射源中使用的碎屑收集机构的示意性侧视图；图2C是根据本揭示案的一些实施例在EUV辐射源中使用的叶片的局部图片；

图3A绘示了在使用之后的其上沉积有锡碎屑的EUV收集器反射镜，并且图3B绘示了在清洁其表面之后的EUV收集器反射镜；