[发明专利]相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件在审
申请号: | 201910579002.3 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN111323863A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 李政烨;金梨香;辛锺和;梁基延;金容诚;金材官;李昌承;N.韩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02B5/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相移 器件 以及 包括 色差 光学 | ||
1.一种相移器件,包括:
堆叠结构,包括金属层和第一电介质层,所述金属层和所述第一电介质层在第一方向上交替地堆叠;和
第二电介质层,在第二方向上设置在所述堆叠结构的侧表面上,
其中所述第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料,所述第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料,并且
其中所述第二介电常数大于所述第一介电常数。
2.根据权利要求1所述的相移器件,其中所述堆叠结构包括至少两个金属层,并且
其中所述第一电介质层设置在所述至少两个金属层中的两个相邻的金属层之间。
3.根据权利要求1所述的相移器件,还包括:
氧化物层,设置在所述堆叠结构的所述侧表面与所述第二电介质层之间。
4.根据权利要求1所述的相移器件,其中所述堆叠结构的宽度与所述第二电介质层的宽度之和小于入射光的波长。
5.根据权利要求1所述的相移器件,其中所述堆叠结构的宽度与所述第二电介质层的宽度之和小于入射光的波长的1/3。
6.根据权利要求1所述的相移器件,其中所述堆叠结构的宽度等于或大于所述第二电介质层的宽度。
7.根据权利要求1所述的相移器件,包括:
多个所述堆叠结构和设置在所述多个堆叠结构之间的多个所述第二电介质层。
8.根据权利要求7所述的相移器件,其中所述多个堆叠结构中的每个和所述多个第二电介质层中的每个在第三方向上延伸,并且所述多个堆叠结构和所述多个第二电介质层在分别垂直于所述第一方向和所述第三方向的所述第二方向上交替地设置。
9.根据权利要求7所述的相移器件,其中所述多个堆叠结构包括在所述金属层的宽度、所述金属层的厚度和所述第一电介质层的厚度中的至少一个上彼此不同的第一堆叠结构和第二堆叠结构。
10.根据权利要求7所述的相移器件,其中所述多个堆叠结构的宽度在所述第二方向上逐渐增大或减小。
11.根据权利要求7所述的相移器件,其中所述相移器件具有基于所述金属层与所述第一电介质层之间的界面处的表面等离子体共振的第一共振波长带和基于相邻的两个堆叠结构的金属层之间的磁共振的第二共振波长带,并且
其中所述相移器件在所述第一共振波长带与所述第二共振波长带之间的波长带中具有4或更大的折射率。
12.根据权利要求11所述的相移器件,其中所述相移器件在所述第一共振波长带与所述第二共振波长带之间的所述波长带内具有0.3或更小的折射率差。
13.根据权利要求1所述的相移器件,其中所述相移器件包括二维地设置的多个所述堆叠结构,并且
其中所述第二电介质层具有围绕所述多个堆叠结构的侧表面的格子形状。
14.根据权利要求13所述的相移器件,其中每个所述堆叠结构的水平截面具有正方形形状、矩形形状、椭圆形形状、三角形形状、圆形形状、平行四边形形状、梯形形状、菱形形状和至少五边形的多边形形状中的一种。
15.根据权利要求13所述的相移器件,其中所述多个堆叠结构包括在所述金属层的宽度、所述金属层的厚度和所述第一电介质层的厚度中的至少一个上彼此不同的第一堆叠结构和第二堆叠结构。
16.根据权利要求13所述的相移器件,其中设置在不同位置的所述堆叠结构具有不同的宽度和/或厚度,并且
其中所述相移器件具有基于所述相移器件中的所述堆叠结构的位置的不同折射率。
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