[发明专利]一种含硼化合物、显示面板及显示装置

说明书

本申请公开了一种含硼化合物，结构通式如式I所示：其中，R为电子给体，选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基。本发明提供的含硼化合物是一种新型硼杂环有机小分子发光材料，通过接入具有大位阻的基团，避免了化合物的聚集，避免共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。

技术领域

本申请涉及有机电致发光材料技术领域，尤其涉及一种含硼化合物、显示面板及显示装置。

背景技术

根据发光机制，可用于OLED发光层材料主要有以下4种：

1、荧光材料

材料的单线激发态S1，通过辐射跃迁回到基态S0。

2、磷光材料

三线激发态T1直接辐射衰减到基态S0(Nature,1998,395,151)。

3、三线态-三线态湮灭(TTA)材料

两个三线态激子相互作用产生一个单线态激子，通过辐射跃迁回到基态S0(Adv.Funct.Mater.,2013,23,739)。

4、热活化延迟荧光(Thermally Active Delayed Fluorescence，TADF)材料

当S1态与T1态之间的能隙值较小且T1态激子寿命较长时，在一定温度条件下，T1态激子可以逆向系间窜越(RISC)实现T1→S1的过程，再由S1态辐射衰减至基态S0(Nature,2012,492,234-238)。

以上几种材料的理论最大内量子产率、结构设计多样化及材料成本如表1所示：

表1

荧光材料：根据自旋统计，激子中单线态和三线态激子的比例是1:3，所以荧光材料最大内量子产率不超过25％。依据朗伯发光模式，光取出效率为20％左右，故基于荧光材料的OLED器件的EQE不超过5％。

磷光材料：磷光材料由于重原子效应，可以通过自旋偶合作用，加强分子内部系间窜越，可以直接利用75％的三线态激子，从而实现在室温下S1和T1共同参与的发射，理论最大内量子产率可达100％。依据朗伯发光模式，光取出效率为20％左右，故基于磷光材料的OLED器件的EQE可以达到20％。但是磷光材料基本为Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金属配合物，生产成本较高，不利于大规模生产。在高电流密度下，磷光材料存在严重的效率滚降现象，同事磷光器件的稳定性并不好。

三线态-三线态湮灭(TTA)材料：两个相邻的三线态激子，复合生成一个更高能级的单线激发态分子和一个基态分子，但是两个三线态激子产生一个单线态激子，所以理论最大内量子产率只能达到62.5％。为了防止产生较大的效率滚降现象，在这个过程中三线态激子的浓度需要调控。

热激活延迟荧光(TADF)材料：当单线激发态和三线激发态的能级差较小时，分子内部发生反向系间窜越RISC，T1态激子通过吸收环境热上转换到S1态，可同时利用75％的三线态激子和25％的单线态激子，理论最大内量子产率可达100％。主要为有机化合物，不需要稀有金属元素，生产成本低。可通过多种方法进行化学修饰。但目前已发现的TADF材料较少，新型的可用于OLED器件的TADF材料亟待开发。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种含硼化合物结构通式如式I所示：

其中，R为电子给体，选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基。

本发明提供的含硼化合物是一种新型硼杂环有机小分子发光材料，通过接入具有大位阻的基团，避免了化合物的聚集，避免共轭平面的直接堆积形成π聚集或激基缔合物，从而提高了发光效率。