[发明专利]制造遮罩的方法在审

申请号：	201910580323.5	申请日：	2019-06-28
公开（公告）号：	CN110727171A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	黄旭霆;刘如淦;游信胜	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F1/72	分类号：	G03F1/72;G03F1/76;G03F1/36;H01L21/033
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	遮罩微影校正晶圆图案透射合成光学系统合成工具微影制程系数矩阵扰动迭代一抗制造测量印刷
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【说明书】：

本案是关于一种制造遮罩的方法，包含对一光学系统计算一透射交叉系数矩阵以执行一微影制程、透过基于模拟晶圆图案和经测量的印刷晶圆图案之间的一比较迭代地调整一微影模型来校正该微影模型，以及提供该经校正的微影模型至一遮罩布置合成工具，以取得相应于一目标遮罩布置的一经合成遮罩布置，为着使用该经合成遮罩布置制造该遮罩，该经校正的微影模型包含该理想透射交叉系数核集、该至少二扰动核集以及一抗蚀模型。

技术领域

本案是关于制造遮罩的方法，特别是关于补偿在光学系统中的缺陷的制造遮罩方法。

背景技术

因为集成电路的特征尺寸变得更小，制造集成电路的微影制程中所使用的精确遮罩更具挑战性。当特征尺寸减小到微影中使用的光学系统的绕射极限以下时，该特征尺寸减小到低于微影中使用的光学系统的绕射极限，由较高阶光学效应产生的失真可在晶圆上产生的图案中产生不想要的特征。进一步地，随着图案密度的增加，从相邻图案绕射的光的强度不再可忽略。此外，对于较小的波长，在曝光狭缝上的透镜光瞳函数的变化对于较小的波长是不可忽略的，例如应用在极紫外(extreme ultraviolet，EUV)微影中的。

发明内容

本案内容的一实施方式是关于一种制造遮罩的方法，该方法包含：对一光学系统计算一透射交叉系数矩阵以执行一微影制程，其中计算包含分解该透射交叉系数矩阵成用于一相应理想光学系统的一理想透射交叉系数核集以及具有相应于该光学系统中光学缺陷的系数的至少一扰动核集、透过基于模拟晶圆图案和经测量的印刷晶圆图案之间的一比较迭代地调整一微影模型来校正该微影模型，以及提供该经校正的微影模型至一遮罩布置合成工具，以取得相应于一目标遮罩布置的一经合成遮罩布置，为着使用该经合成遮罩布置制造该遮罩，该经校正的微影模型包含该理想透射交叉系数核集、该至少二扰动核集以及一抗蚀模型。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本案的各方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸：

图1是根据本案一实施例所绘示的一种使用扰动核的系数为遮罩布置模拟晶圆图案的方法的流程图；

图2是根据本案一实施例所绘示一种取得具有在图1的一操作中的透射交叉系数核集与一或多个扰动核集的单微影模型的方法的流程图；

图3是根据本案一实施例所绘示的一种使用经校正的微影模型、透射交叉系数以及扰动核集演示光学近接校正与反微影技术的方法的流程图；

图4是根据本案一实施例所绘示使用揭露于图1、图2及图3的方法配合一抗蚀模型所取得的经模拟的晶圆图案的示意图；以及

图5是根据本案一实施例所绘示一个用以制造集成电路的系统的示意图。

【符号说明】

为让本案的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附符号的说明如下：

102、104、106、108、110、201、202-1～202-N、204、206、301、302、304、306：步骤

325a、325b、325c、325d、350a、350b、350c、350d：特征

700：工具