[发明专利]一种提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法

权利要求书

1.一种提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，所述钙钛矿太阳能电池包括电极层、电子传输层、空穴传输层、钙钛矿薄膜层，其特征在于，在制备钙钛矿薄膜层的过程中添加了稳定剂，所述稳定剂为具有F-B结构的化合物，其中，F是指卤素氟，B是指具有强吸电子作用的化学结构。

2.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，在所述稳定剂的F-B结构中，B为含有N⁺R₃、NO₂、CN、COOH、COOR、-C=O、SO₃H、CF₃基团中的任一种。

3.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述稳定剂为三(五氟苯基)硼烷、3,5-二氟苯腈、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌中至少一种。

4.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述稳定剂以任意的方式，或者以任意的状态加入到制备钙钛矿薄膜层的材料中，所述稳定剂在钙钛矿晶体中的质量分数为0.01~5%。

5.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的制备方法包括溶液结晶法、气相结晶法、固体-气相结晶法、固体-液相结晶法以及固体结晶法中任意一种方法。

6.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述钙钛矿为具有ABX₃结构的半导体化合物，其中，A为CH₃NH₃⁺、CH₃CH₂NH₃⁺、CH(NH₂)₂⁺、C(NH₂)₃⁺的一价有机阳离子中至少一种，或者Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺、Ag⁺、Cu⁺、Cs⁺的一价无机阳离子中至少一种；B为Ge²⁺、Sn²⁺、Pb²⁺、Be²⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Cu²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺、Zn²⁺、Co²⁺、Ni²⁺的二价金属离子中至少一种；X为Cl^-、Br^-、I^-的一价阴离子中至少一种；该半导体化合物的禁带宽度值大于等于1.0eV，且小于等于2.0eV。

7.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述钙钛矿薄膜层的厚度不低于50纳米。

8.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述电极层包括金、银、铜、铝、铬、氧化铟锡、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、碳材料以及它们的复合物中的至少一种。

9.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述电子传输层包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物和掺杂物中的至少一种，所述电子传输层的厚度为5~300nm。

10.如权利要求1所述的提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法，其特征在于，所述空穴传输层包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、CuGaO₂、CuCrO₂、PTAA、PEDOT、Spiro-OMeTAD、酞菁和卟啉类衍生物以及它们的掺杂物中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为5~200nm。