[发明专利]一种多晶硅棒的切割方法

权利要求书

1.一种多晶硅棒的切割方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在多晶硅方锭的中央区域选取至少一根方棒；在多晶硅方锭边角区域的四个角各选取至少一根方棒；

(2)从方棒底部截取样片，对样片进行碳含量测试，并计算碳含量的平均值；

(3)以碳含量的平均值为依据，选取相对应的切割工艺对产自该多晶硅方锭的所有方棒进行加工；

当碳含量的平均值＜4×10¹⁷atoms/cm³时，步骤(1)所述多晶硅方锭得到的多晶硅棒的单片工艺耗线量为0.8-1.2米/片，75min≤加工时间＜90min；

当碳含量的平均值为4-6×10¹⁷atoms/cm³时，步骤(1)所述多晶硅方锭得到的多晶硅棒的单片工艺耗线量为1.0-1.5米/片，90min≤加工时间≤120min；

当碳含量的平均值＞6×10¹⁷atoms/cm³时，步骤(1)所述多晶硅方锭得到的多晶硅棒的单片工艺耗线量＞1.5米/片，加工时间＞120min。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述中央区域为所述多晶硅方锭对称中心区域。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述边角区域分布于所述多晶硅方锭的四个角处。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述样片的厚度为1-3mm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行碳含量测试前对样片的表面进行抛光。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用晶硅碳氧含量测试仪对样片进行碳含量测试。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在多晶硅方锭中央区域和边角区域选取方棒；其中，中央区域选取至少一根方棒，边角区域的四个角各选取至少一根方棒；

(2)分别从步骤(1)选取的方棒底部截取厚度为1-3mm的样片，对样片表面进行抛光，然后采用晶硅碳氧含量测试仪测定其碳含量，并计算样片碳含量的平均值；

(3)以碳含量的平均值为依据，选取相对应的切割工艺对产自该多晶硅方锭的所有方棒进行加工；其中，当碳含量的平均值＜4×10¹⁷atoms/cm³时，所述多晶硅方锭得到的多晶硅棒的单片工艺耗线量为0.8-1.2米/片，75min≤加工时间＜90min；当碳含量的平均值为4-6×10¹⁷atoms/cm³时，所述多晶硅方锭得到的多晶硅棒的单片工艺耗线量为1.0-1.5米/片，90min≤加工时间≤120min；当碳含量的平均值＞6×10¹⁷atoms/cm³时，所述多晶硅方锭得到的单片工艺耗线量＞1.5米/片，加工时间＞120min。